64K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM 
• Organized as 8,192 x 8 bits
• 38 year Data Retention
• High Endurance 100 Trillion (1e14) Read/Writes
• NoDelay™ Writes
• Advanced High-Reliability Ferroelectric Process

Superior to Battery-Backed SRAM 
• No Battery Concerns
• Monolithic Reliability
• True surface mount solution, no rework steps
• Superior for moisture, shock, and vibration
• Resistant to negative voltage undershoots

SRAM & EEPROM Compatible
• JEDEC 8Kx8 SRAM & EEPROM pinout
• 70 ns Access Time
• 130 ns Cycle Time

Low Power Operation
• Wide Voltage Operation 2.7V to 5.5V
• 12 mA Active Current
• 20 uA (typ.) Standby Current

Industry Standard Configuration
• Industrial Temperature -40°C to +85°C
• 28-pin "Green"/RoHS SOIC Package

Ordering Information 
• FM16W08-SG  (28-pin "Green"/RoHS SOIC)
• FM16W08-SGTR  (28-pin "Green"/RoHS SOIC, Tape & Reel)

Микросхемы памяти на складе в Харькове

AT45DB - Микросхемы последовательной Flash памяти семейства DataFlash компании Atmel
M24SR – беспроводная NFC-память с высокой скоростью передачи данных
микросхемы памяти EEPROM фирмы Microchip в миниатюрных корпусах SOT23
Последовательная EEPROM-память производства STMicroelectronics
Микросхемы последовательной (SST25, SST26) и параллельной (SST39) Flash-памяти компании SST
Энергонезависимая память RAMTRON на складе
FLASH-память на складе - полный перечень
Энергонезависимая память ROM на складе
Электрически программируемая EPROM
Перезаписываемая память EEPROM
Микросхемы памяти FRAM - полный перечень
Статическая память SRAM
Микросхемы памяти SDRAM на складе
Энергонезависимая память M24LR

Микросхема памяти FRAM
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) - энергонезависимая сегнетоэлектрическая память. FRAM это новое поколение энергонезависимой памяти, которое объединяет высокую скорость записи/чтения и низкое энергопотребление со способностью сохранять данные при пропадании электропитания (без подпитки резервной батареей).
Ферроэлектрические ОЗУ (FRAM) RAMTRON
Энергонезависимая память RAMTRON на складе