Сегнетоэлектрическая память с произвольным доступом (FRAM) фирмы
RAMTRON - это новое поколение энергонезависимой памяти, которое
объединяет высокую скорость записи/чтения и низкое энергопотребление
со способностью сохранять данные при пропадании электропитания (без
подпитки резервной батареей). В
отличие от EEPROM и Flash, которые имеют ограниченное число циклов
записи и потребляют значительную мощность, FRAM записывает данные
мгновенно, хранит их долго и потребляет очень малую мощность.
Высокая скорость записи позволяет в некоторых системах эффективно
заменять модулями FRAM устройства EEPROM/Flash и SRAM с батарейным
питанием, и даже заменять одним модулем FRAM комбинацию устройств
ОЗУ-ПЗУ. Число циклов перезаписи (до 1016) позволяет
производить запись по каждому адресу с частотой миллион раз в секунду
в течение нескольких сотен лет без ухудшения технических характеристик!
FRAM память от
RAMTRON Энергонезависимая память
RAMTRON на складе
Многофункциональные устройства с
памятью FRAM для совместной работы с процессором
Семейство Processor Companion - это
законченные решения с высокой степенью интеграции, объединяющие
ряд периферийных системных функций в одном кристалле. Как
никогда раньше семейство Processor Companion сочетает высокую
скорость операций чтения и записи с практически неограниченным
ресурсом циклов обращения к FRAM (ferroelectric random access
memory), часы-календарь (RTC: real time clock), супервизор
микроконтроллера и другие периферийные функции.
FRAM с последовательным
интерфейсом
Основные характеристики:]
Стандартный промышленный 2-х
проводный (I2C) или SPI интерфейс
Нет задержки при записи,
чтение и запись с быстродействием шины
Длительный срок хранения
данных: >10 лет (с Uпит=3В: не ограничено)
Низкий ток покоя, для версии с
Uпит=3В: <1мкА
Низкое энергопотребление,
одинаковое при чтении и записи
Совместим по выводам с
промышленным стандартом EEPROM
Рабочий диапазон температур:
-40...+85°С
FRAM с параллельным интерфейсом
Основные характеристики:
Совместим по выводам с
промышленным стандартом SRAM/EEPROM
Нет задержки при записи,
чтение и запись с быстродействием шины
Длительный срок хранения
данных: >10 лет (с Uпит=3В: не ограничено)
Низкий ток покоя: <20мкА
Низкое энергопотребление,
одинаковое при чтении и записи
Рабочий диапазон температур:
-40...+85°С
Многофункциональные устройства с памятью FRAM для совместной работы с
процессором