Силовые транзисторы MOSFET от компании STMicroelectronics

КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина

Как купить...

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

пассивные SMD-компоненты

конденсаторы

SMD-конденсаторы: 0402, 0603, 0805, 1206
SMD-резисторы: 0201, 0402, 0603, 0805, 1206, 2010, 2512
прецизионные низкоомные резисторные сборки
SMD-индуктивности: 0603, 0805, 1206

высоковольтная керамика / керамика класс Y1 и Y2 / металлопленка CL-21X / металлопленка CL-21 MEF / полипропиленовые CBB21 CBB22 / полипропиленовые X2-MKP / высоковольтные CBB81 / для двигателей CBB61 / фазосдвигающие CBB60E / пусковые CBB65 / Полистирольные конденсаторы СL11 / Аксиальные металлопленочные конденсаторы CL-20T / Электролитические конденсаторы / Неполярные / Полимерные (твердотельные) / Тонкие для ЖК / Низкоимпедансные / Конденсаторы SMD, Серия RC

Новые силовые транзисторы MOSFET от компании STMicroelectronics

Компания STMicroelectronics постоянно совершенствует технологии производства транзисторов для высоковольтных и низковольтных приложений. Ассортимент силовых транзисторов STMicroelectronics включает MOSFET-транзисторы для работы с напряжениями 500...1500 В, IGBT-транзисторы с предельными напряжениями 350...1300 В, а также широкий спектр биполярных транзисторов.

По сравнению с предыдущей транзисторной технологией MDmesh II, в технологии MDmesh V изменена структура вставок, уменьшен шаг их следования, применен более эффективный диффузионный процесс, повышен уровень легирования n-области.

Снижение сопротивления канала в транзисторах технологии MDmesh V позволяет существенно снизить потери в схемах коррекции коэффициента мощности и в первичных преобразователях напряжения питания. Это, в свою очередь, позволяет повысить эффективность преобразователей и корректоров, уменьшить габариты устройств за счет меньших размеров радиаторов и уменьшения площади печатной платы.

В каждой из технологий производства транзисторов компания STMicroelectronics представляет серии на различные диапазоны напряжений, высоковольтные версии транзисторов, а также транзисторы с диодами с малым временем восстановления.

Некоторые параметры транзисторов STMicroelectronics различных технологий представлены в таблицах 1...7.

Таблица 1. Параметры транзисторов технологии SuperMesh3

Максимальное напряжение, U_DSS, В	Максимальное напряжение открытого канала, R_DS(ON), Ом	Наименование	Тип корпуса
купить - жми ссылку на компонент
450	3,5	STx3N45K3	SOT-223/SO-8/IPAK
525	2,6	STx4N52K3	TO-220/FP/TO-247/DPAK
	1,5	STx5N52K3	TO-220/FP/DPAK/D2PAK/IPAK
	1,2	STx6N52K3	TO-220/FP/DPAK/D2PAK
	0,98	STx7N52K3	TO-220/FP/DPAK/D2PAK
	1,15	STx7N52DK3	TO-220/FP/DPAK
620	3	STx2N62K3	TO-220/FP/DPAK/IPAK
	2,5	STx3N62K3	TO-220/FP/DPAK/D2PAK/IPAK/I2PAK
	2,0	STx4N62K3	TO-220/FP/DPAK/D2PAK/IPAK/I2PAK/PowerFLAT_5x6
	1,6	STx5N62K3	TO-220/FP/DPAK/D2PAK/IPAK
	1,28	STx6N62K3	TO-220/FP/DPAK/D2PAK/IPAK/I2PAK/PowerFLAT_5x6_HV
	0,75	STx10N62K3	TO-220/FP/I2PAK
	0,38	STx17N62K3	TO-220/FP/TO-247
650	1	STx10N65K3	TO-220/FP

Таблица 2. Параметры транзисторов технологии MDmesh II

Максимальное напряжение, U_DSS, В	Максимальное напряжение открытого канала, R_DS(ON), Ом	Наименование	Тип корпуса
купить - жми ссылку на компонент
500	0,790	STx8NM50N	DPAK/TO-220/TO-220FP
	0,630	STx10NM50N	DPAK/TO-220/TO-220FP
	0,470	STx11NM50N	DPAK/TO-220/TO-220FP
	0,320	STx14NM50N	D2PAK,DPAK/TO-220/TO-220FP
	0,250	STx19NM50N	D2PAK-TO-247-TO-220/FP
	0,190	STx23NM50N	D2PAK-TO-247-TO-220/FP
	0,158	STx28NM50N	D2PAK-TO-247-TO-220/FP
	0,043	STW60NM50N	TO-247
	0,022	STY105NM50N	Max247
600	0,900	STx7NM60N	DPAK/TO-220/TO-220FP
	0,745	STx9NM60N	DPAK/TO-220/TO-220FP
	0,550	STx10NM60N	DPAK/TO-220/TO-220FP
	0,600	STx10NM60ND	DPAK/TO-220/TO-220FP
	0,360	STx13NM60N	DPAK/TO-220/TO-220FP
	0,285	STx18NM60N	D2PAK-TO-247-TO-220/FP
	0,220	STx22NM60N	D2PAK-TO-247-TO-220/FP
	0,190	STx24NM60N	D2PAK-TO-247-TO-220/FP
	0,165	STx26NM60N	D2PAK-TO-247-TO-220/FP
	0,105	STX34NM60N	D2PAK-TO-247-TO-220FP
	0,110	STx34NM60ND	TO-247-TO-220
	0,070	STW48NM60N	TO-247
	0,060	STW56NM60N	TO-247
	0,049	STW62NM60N	TO-247
	0,029	STY100NM60N	Max247
650	0,410	STx11NM65N	TO220/FP/DPAK
	0,350	STx15NM65N	TO-220
	0,250	STx20NM65N	TO-220

Таблица 3. Параметры транзисторов технологии MDmesh V

Максимальное напряжение, U_DSS, В	Максимальное напряжение открытого канала, R_DS(ON), Ом	Наименование	Максимальный постоянный ток, Id, А	Тип корпуса
купить - жми ссылку на компонент
550	0,080	STx36N55M5	29	TO-220/TO-220FP/D2PAK
	0,100	STx32N55M5	25	TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247
	0,240	STx18N55M5	14	TO-220/TO-220FP/D2PAK/DPAK
650	0,017	STY139N65M5	130	Max247
	0,029	STx88N65M5	84	TO-247
	0,045	STW69N65M5	60	TO-247/TO-3P
	0,059	STx60N65M5	45	TO-247/TO-3PF
	0,063	STx57N65M5	42	TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247
	0,078	STx45N65M5	31	TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247
	0,110	STx34N65M5	29	TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247
	0,148	STx31N65M5	22	TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAKFP/TO-247
	0,190	STx20N65M5	18	TO-220/TO-220FP/I2PAKFP/TO-247
	0,220	STx18N65M5	15	TO-220/TO-220FP/D2PAK/DPAK
	0,340	STx15N65M5	11	TO-220/TO-220FP/I2PAKFP/DPAK
	0,480	STx11N65M5	9	TO-220/TO-220FP/I2PAK/DPAK/IPAK
	1,200	STL3N65M5	2.5	PowerFLAT

Таблица 4. Параметры транзисторов технологии FDmesh II с диодами с малым временем восстановления

Максимальное напряжение, U_DSS, В	Максимальное напряжение открытого канала, R_DS(ON), Ом	Максимальный заряд паразитной емкости диода, Qrr, мкКл	Наименование	Тип корпуса
купить - жми ссылку на компонент
500	0,380	<1	STx12NM50ND	DPAK/D2PAK
600	0,700	<1	STx8NM60ND	DPAK/TO-220/FP
	0,450	<1	STx11NM60ND	DPAK/TO-220/FP
	0,299	<1	STx15NM60ND	D2PAK/TO-220/TO-247
	0,220	<1	STx21NM60ND	D2PAK/TO-220/TO-247
	0,180	<2	STx23NM60ND	D2PAK/TO-220/TO-247
	0,160	<2	STx25NM60ND	D2PAK/TO-220/TO-247
	0,130	<2	STx30NM60ND	D2PAK/TO-220/FP/TO-247
	0,110	<2	STx34NM60ND	TO-220/TO-247
	0,088	<2	STx43NM60ND	D2PAK/TO-220/FP/TO-247
	0,060	<2	STW55NM60ND	TO-247
	0,085	<2	STW48NM60ND	TO-247
	0,060	<2	STW56NM60ND	TO-247
650	0,067	<2	STW53NM65ND	TO-247
	0,065	<2	STW54NM65ND	TO-247
	0,057	<2	STW62NM65ND	TO-247

Таблица 5. Параметры транзисторов технологии FDmesh V с диодами с малым временем восстановления

Максимальное напряжение, U_DSS, В	Максимальное напряжение открытого канала, R_DS(ON), Ом	Наименование	Тип корпуса
купить - жми ссылку на компонент
650	0,031	STW88N65DM5	TO-247
	0,085	STP/W/B57N65DM5	D2PAK/TO-220/TO-247
	0,230	STD18N65DM5	DPAK/TO-220FP/TO-220

Таблица 6. Параметры высоковольтных транзисторов VHV

Максимальное напряжение, U_DSS, В	Наименование	Максимальное напряжение открытого канала, R_DS(ON), Ом	Тип корпуса
купить - жми ссылку на компонент
1500	STW9N150	2,5	TO-247
	STx4N150	7	TO-247/TO-3PF/TO-220/H2PAK
	STx3N150	9	TO-247/TO-3PF/TO-220/H2PAK
1700	STx3N170*	13	TO-247/TO-3PF/TO-220

Таблица 7. Высоковольтные транзисторы SuperMesh V

Максимальное напряжение, U_DSS, В	Максимальное напряжение открытого канала, R_DS(ON), Ом	Наименование	Тип корпуса
купить - жми ссылку на компонент
800	1,2	STx7N80K5	TO-220/FP/DPAK/PowerFLAT
	0,95	STx8N80K5	TO-220/FP/I2PAKFP/DPAK/PowerFLAT
	0,375	STx12N80K5	TO-220/FP/D2PAK/TO-247
	0,260	STx25N80K5	TO-220/TO-220FP/TO-247
850	0,275	STx23N85K5	PowerFLAT/TO-247
900	0,299	STx21N90K5	TO-220/TO-220FP/TO-247/D2PAK
950	1,25	STx6N95K5	IPAK/DPAK/TO-220/TO-220FP/TO-247
	0,330	STx20N95K5	TO-220/TO-220FP/TO-247/D2PAK
1200	0,690	STx12N120K5	TO-220/TO-3PF/TO-247

Для некоторых серий одного и того же эшелона напряжений и токов сопротивление канала транзисторов технологии MDmeshV оказывается существенно ниже, что при прямой замене аналогичных по напряжению и токам транзисторов может дать неплохой выигрыш за счет сокращения потерь проводимости. Помимо этого, транзисторы технологии MDmesh V обладают меньшими потерями на переключение по сравнению с аналогами.

Применение в отладочной плате транзистора STW88N65M5 дает прирост эффективности на несколько десятых процента (цифра может показаться малой, но речь идет о мощностях 500...2000 Вт, и при длительной непрерывной работе экономия будет ощутимой). Что не менее важно, снижается рабочая температура транзистора при работе под нагрузкой. Особенно это заметно при больших мощностях.

Транзисторы технологии FDmesh разработаны специально для схем мостовых преобразователей, выпрямителей и прекрасно подходят для импульсных высокочастотных схем. Обладают малым временем восстановления диода, высокой скоростью нарастания напряжения на выходе (dU/dt).

Одним из примеров таких схем является схема инверторов для солнечных батарей.

Транзисторы технологии FDmesh V рассчитаны на применение в импульсных источниках питания, инверторах, преобразователях напряжения, в том числе - в источниках альтернативной энергии (ветрогенераторы, солнечные батареи).

Высоковольтные транзисторы технологии SuperMesh V при крайне низком сопротивлении канала обладают рабочими напряжениями до 1200 В. Доступен широкий выбор компактных корпусов, в том числе - корпусов для поверхностного монтажа, включая новые корпуса FlatPOWER.

Таблица 8. Аналоги популярных MOSFET-транзисторов от STMicroelectronics

Транзисторы ST	Аналоги других производителей
Транзисторы ST	Infineon	NXP	Fairchild	ONS	Vishay	IR
STB120NF10T4			FDB3632
STB14NK50ZT4			FDB15N50		IRF840SPBF
STB30NF20						IRFS31N20D
STB6NK60ZT4
STB75NF75T4			FDB16AN08A0		SUB75N08-10	IRF2807S
STB80N20M5
STD20NF06LT4				NTD20N06L
				NTD20N06LT4G
STD20NF20		PSMN130-200D				IRFR4620PBF
STD2HNK60Z					IRFRC20PBF
STD2HNK60Z-1					IRFUC20
STD30NF06LT4						IRLR2905PBF
STD30NF06T4				NTD32N06		IRFR1205PBF
STD3NK50Z-1				NDD03N50Z-1G	IRFU420PBF
					IRFU420APBF
STD3NK50ZT4					IRFR420PBF
					IRFR420APBF
STD5N52K3					IRFR430PBF
					IRFR430APBF
STD5NK40Z-1					IRFU320PBF
STD5NK40ZT4					IRFR320TRPBF
STD5NK50ZT4
STD60NF06T4						IRFR3806
						IRFR2405
STF18NM80	SPA17N80C3
STF19NF20			FQPF19N20		IRFI640GPBF
STP4NK80Z					IRFBE30
STP5N52K3					IRF830PBF
STP6N62K3					IRFBC40
					IRFBC40A
STW18NM80	SPW17N80C3
STW19NM50N	SPW16N50C3				IRFP23N50L
					IRFP22N50A
					IRFP460N

Ценовая политика STMicroelectronics и превосходные параметры производимых ею MOSFET-транзисторов во многих случаях способны склонить чашу весов в свою сторону.

Поставляемые компоненты

^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП