IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 1200 В и 1350 В и током коллектора от 15 А до 40 А

Новые IGBT-транзисторы имеют высокую надёжность и низкую стоимость благодаря использованию технологии Field Stop для формирования проводящего канала. Они обеспечивают высокую производительность, низкое сопротивление открытого канала с минимальными потерями на переключение в требовательных схемах коммутации.

IGBT-транзисторы отлично подходят для схем резонансных и полумостовых резонансных преобразователей напряжения, а также для схем с мягким режимом переключения. Некоторые из транзисторов содержат быстродействующий демпферный диод с плавным переключением и низким прямым напряжением. Применение устройств, выполненных по технологии FSII (Field stop 2), уменьшает потери на 30% и ведет к повышению КПД системы, а также к снижению на 20% температуры корпуса транзистора, что позволяет разработчикам увеличивать общую системную производительность и надежность. Транзисторы оптимизированы для использования в высокопроизводительных преобразователях энергии, бытовой технике и промышленном оборудовании.

Серия IHR с технологией FS2-RC для применения в индукционных нагревателях (NGTBxxN120IHR и NGTBxxN135IHR):

Остальные транзисторы серии:

Отличительные особенности:

Оптимальны для применения в индукционных печах для приготовления пищи за счёт низкой рабочей температуры корпуса
Чрезвычайно эффективная конструкция проводящего канала за счёт применения технологии Fieldstop
Надёжное и недорогое однокристальное решение
Низкие потери на переключение снижают рассеиваемую мощность системы
Максимальная рабочая температура перехода: TJmax = 175°C
Встроенный демпферный диод (серия IHR) или быстродействующий демпферный диод с плавным переключением
Диапазон рабочих частот переключения: от 20 кГц до 30 кГц
Отсутствие свинца в конструкции прибора
 

Область применения:

Индукционные нагреватели
Потребительская электроника
Схемы с плавным переключением

метки: IGBT  IRG4  IRG7