|
IGBT-транзисторы с
напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 1200 В и 1350 В и током
коллектора от 15 А до 40 А |
|
Новые
IGBT-транзисторы имеют высокую надёжность и низкую стоимость
благодаря использованию технологии Field Stop для формирования
проводящего канала. Они обеспечивают высокую производительность,
низкое сопротивление открытого канала с минимальными потерями на
переключение в требовательных схемах коммутации.
IGBT-транзисторы
отлично подходят для схем резонансных и полумостовых резонансных
преобразователей напряжения, а также для схем с мягким режимом
переключения. Некоторые из транзисторов содержат быстродействующий
демпферный диод с плавным переключением и низким прямым напряжением.
Применение устройств, выполненных по технологии FSII (Field stop 2),
уменьшает потери на 30% и ведет к повышению КПД системы, а также к
снижению на 20% температуры корпуса транзистора, что позволяет
разработчикам увеличивать общую системную производительность и
надежность. Транзисторы оптимизированы для использования в
высокопроизводительных преобразователях энергии, бытовой технике и
промышленном оборудовании. |
Серия
IHR с технологией FS2-RC для применения в индукционных
нагревателях (NGTBxxN120IHR и NGTBxxN135IHR):
Остальные транзисторы серии:
|
Отличительные особенности:
Оптимальны для применения в индукционных печах для приготовления
пищи за счёт низкой рабочей температуры корпуса
Чрезвычайно эффективная конструкция проводящего канала за счёт
применения технологии Fieldstop
Надёжное и недорогое однокристальное решение
Низкие потери на переключение снижают рассеиваемую мощность системы
Максимальная рабочая температура перехода: TJmax = 175°C
Встроенный демпферный диод (серия IHR) или быстродействующий
демпферный диод с плавным переключением
Диапазон рабочих частот переключения: от 20 кГц до 30 кГц
Отсутствие свинца в конструкции прибора
Область применения:
Индукционные нагреватели
Потребительская электроника
Схемы с плавным переключением |
метки:
IGBT
IRG4
IRG7 |
Фото | Описание | ЦЕНА ЗА ШТ БЕЗ НДС, грн |
| NGTB15N120IHLWG Транзистор IGBT IGBT транзистор - TO-247-3 , Uкэ.макс : 1.2 кВ , 15 А , Uкэ.нас : 1.8 В
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: ONS код товара: 00-00047168
|
|
|
| NGTB40N135IHRWG Транзистор IGBT IGBT транзистор, 80 А, 2.4 В, 394 Вт, 1.35 кВ
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: ONS код товара: 00-00064945
|
|
|
| NGTB35N60FL2WG Транзистор IGBT IGBT транзистор, 70 А, 1.7 В, 300 Вт, 600 В
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: ONS код товара: 00-00062697
|
|
| | NGTB40N120FL3WG THT IGBT transistors
Производитель: ONSEMI код товара:
4 - 6 недель | |
|
|
| 1
пассивные
SMD-компоненты |
конденсаторы |
SMD-конденсаторы:
0402,
0603,
0805,
1206
SMD-резисторы:
0201,
0402,
0603,
0805,
1206,
2010,
2512
прецизионные
низкоомные
резисторные сборки
SMD-индуктивности: 0603,
0805,
1206 |
высоковольтная
керамика /
керамика класс Y1 и Y2 /
металлопленка
CL-21X /
металлопленка CL-21 MEF /
полипропиленовые CBB21 CBB22 /
полипропиленовые
X2-MKP /
высоковольтные CBB81 /
для двигателей
CBB61 / фазосдвигающие
CBB60E /
пусковые CBB65 /
Полистирольные конденсаторы СL11 /
Аксиальные
металлопленочные конденсаторы CL-20T /
Электролитические конденсаторы
/
Неполярные
/ Полимерные (твердотельные)
/ Тонкие для
ЖК /
Низкоимпедансные
/ Конденсаторы SMD, Серия RC |
Время генерации 1.012128 секунд Найдено 4 товаров |
Поставляемые компоненты
|