Фото | Описание | ЦЕНА ЗА ШТ БЕЗ НДС, грн | 
| NCP5183DR2G Драйверы IGBT/MOSFET Драйвер МОП-транзистора, высокой и низкой сторон, 9В - 18В питание, 4.3А выход, 120нс задержка
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: ONS код товара: 00-00065875
|
|
| 
| NGTB15N120IHLWG Транзистор IGBT IGBT транзистор - TO-247-3 , Uкэ.макс : 1.2 кВ , 15 А , Uкэ.нас : 1.8 В
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: ONS код товара: 00-00047168 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| 
| NGTB40N135IHRWG Транзистор IGBT IGBT транзистор, 80 А, 2.4 В, 394 Вт, 1.35 кВ
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: ONS код товара: 00-00064945 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| 
| NGTG15N120FL2WG Транзистор IGBT IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 294W Through Hole TO-247-3
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: ONS код товара: 00-00065236 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| 
| NGTG15N60S1EG Транзистор IGBT БТИЗ транзистор, 30 А, 1.75 В, 117 Вт, 600 В, TO-220, 3 вывод(-ов)
Тип корпуса: TO-220-3 Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00065271 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| 
| NSI6602B-DSWRTR Драйверы IGBT/MOSFET Драйвер MOSFET полумостовой изолированный 6A 7В...25В SOIC-16-300mIl
Тип корпуса: SOP16-300 код товара: 00-00075161

| Этот товар есть на складе |  |
|
|
| 
| RJH60F7DPQ-A0#T0 Транзистор IGBT Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT), 600V, 90A, 328.9W, TO247A
Тип корпуса: TO-247AC-3 Производитель: RENESAS код товара: 00-00063548 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| 
| RJH60T04DPQ-A1#T0 Транзистор IGBT Транзистор, IGBT TRENCH, 600В, 60А,
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: RENESAS код товара: 00-00071298 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| 
| RJH65T14DPQ-A0#T0 Транзистор IGBT Транзистор IGBT Trench 650 В 100 А 250 Вт
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: RENESAS код товара: 00-00071183 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| 
| RJH65T46DPQ-A0#T0 Транзистор IGBT Транзистор IGBT Trench 650 В 80 A 340,9 Вт
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: RENESAS код товара: 00-00071297 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| .jpg)
| RJP30H1DPD Транзистор IGBT Одиночные IGBT транзисторы корпус: TO-252, Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
Тип корпуса: TO-252(DPAK) Производитель: RENESAS код товара: 00-00065724
|
|
| 
| RJP60F4DPM-00#T1 Транзистор IGBT Транзистор IGBT Trench 600 В 60 A 41,2 Вт
Тип корпуса: TO-3PFM Производитель: RENESAS код товара: 00-00071296 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| 
| RJP60F5DPK-01#T0 Транзистор IGBT Транзистор IGBT 600 В 80 А 260,4 Вт
Тип корпуса: TO-3P Производитель: RENESAS код товара: 00-00071295 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| 
| RJP65T43DPQ-A0#T2 Транзистор IGBT Транзистор IGBT Trench 650 В 60 A 150 Вт
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: RENESAS код товара: 00-00071294 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| .jpg)
| SGB15N60HS Транзистор IGBT 30-100 kHz Package D2PAK (TO-263) V CE (max) 600.0 V I C(max) @ 25? 27.0 A I C(max) @ 100? 15.0 A
Тип корпуса: TO-263(D2PAK) Производитель: INFIN код товара: 00-00032793 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| 
| SGH40N60UFDTU Транзистор IGBT IGBT 600V 40A 160W
Тип корпуса: TO-3P Производитель: FAIR код товара: 00-00053109 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| 
| SGH80N60UFDTU Транзистор IGBT IGBT транзистор, 80 А, 2.6 В, 195 Вт, 600 В
Тип корпуса: TO-3P Производитель: FAIR код товара: 00-00032794 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| 
| SGL160N60UFDTU Транзистор IGBT IGBT транзистор - Примечание SINGLE IGBT, 600V, 160A, DC Collector Current160A.
Тип корпуса: TO-264-3 Производитель: FAIR код товара: 00-00046134 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| 
| SGT20T60SDM1P7 Транзистор IGBT 46 Вт, 600 В, 40 А
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: Silan Microelectronics код товара: 00-00074481
|
|
| 
| SGT25U120FD1P7 Транзистор IGBT IGBT + Diode, N, 278 W, Vce:1200 V, Ic:50 A, 128 pF
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: Silan Microelectronics код товара: 00-00076662
|
|
| 
| SGT40N60FD2P7 Транзистор IGBT 380 Вт, 600 В, 80 А
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: Silan Microelectronics код товара: 00-00074482
|
|
| 
| SGT40N60FD2PN Транзистор IGBT 380 Вт, 600 В, 80 А
Тип корпуса: TO-3P Производитель: Silan Microelectronics код товара: 00-00074476
|
|
| 
| SGT40N60NPFDPN Транзистор IGBT 290 Вт, 600 В, 80 А
Тип корпуса: TO-3P Производитель: Silan Microelectronics код товара: 00-00074478
|
|
| 
| SGT40T120FD1P7 Транзистор IGBT NPN•312 W•1.2 kV•80 A
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: Silan Microelectronics код товара: 00-00076649
|
|
| 
| SGT40U120FD1P7 Транзистор IGBT IGBT + Diode, 312 W, 1200 V, 80 A @25?, TO247
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: Silan Microelectronics код товара: 00-00078618
|
|
| 
| SGT50T65FD1P7 Транзистор IGBT 235 Вт, 650 В, 100 А
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: Silan Microelectronics код товара: 00-00074483
|
|
| 
| SGT50T65FD1PN Транзистор IGBT Транзистор IGBT 650V 50A/100A
Тип корпуса: TO-3P Производитель: Silan Microelectronics код товара: 00-00072655
|
|
| 
| SGT60N60FD1P7 Транзистор IGBT Тип транзистора: IGBT + Diode, 600 V, 321 W, 120 A @25?, TO247
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: Silan Microelectronics код товара: 00-00077266
|
|
| 
| SGT60N60FD1PN Транзистор IGBT 321 Вт, 600 В, 120 А
Тип корпуса: TO-3P Производитель: Silan Microelectronics код товара: 00-00074477
|
|
| 
| SGT60T65FD1PN Транзистор IGBT 450 Вт, 650 В, 120 А
Тип корпуса: TO-3P Производитель: Silan Microelectronics код товара: 00-00074479
|
|
| 
| SGT75T65SDM1P7 Транзистор IGBT 416 Вт, 650 В, 150 А
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: Silan Microelectronics код товара: 00-00074480
|
|
| 
| SGW30N60 Транзистор IGBT Транзистор IGBT: N-channel, 41 A при 25°C 600 V, 3-Pin TO-247
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: INFIN код товара: 00-00048314 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| 
| SGW30N60HS Транзистор IGBT IGBT NPT 600V 41A 250W Through Hole
Тип корпуса: PG-TO247-3 Производитель: INFIN код товара: 00-00031150
|
|
| 
| SKW25N120 Транзистор IGBT Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 25А, 313Вт, TO247-3
Тип корпуса: TO-247AC-3 Производитель: INFIN код товара: 00-00032627 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| 
| SLM2110CG Драйверы IGBT/MOSFET 2 Non-Insulated 2.5A 10V~20V 2.5A SOIC-16-300mil Gate Drive ICs
Тип корпуса: SO16-300 Производитель: SIL код товара: 00-00070083 Перейти в группу Драйверы IGBT/MOSFET |
|
| 
| STF40N60M2 Транзистор IGBT Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 34 А, 0.078 Ом
Тип корпуса: TO-220FP Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00064256 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| .jpg)
| STGB10NB37LZT4 Транзистор IGBT Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт
Тип корпуса: TO-263(D2PAK) Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00032688 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| .jpg)
| STGB10NC60HD Транзистор IGBT IGBT транзистор, 10 А, 2.5 В, 65 Вт, 600 В
Тип корпуса: TO-263(D2PAK) Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00066393 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| .jpg)
| STGB18N40LZT4 Транзистор IGBT IGBT 425V 40A 200W
Тип корпуса: TO-263(D2PAK) Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00062434 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| .jpg)
| STGB20NB37LZ Транзистор IGBT IGBT 425V 40A 200W D2PAK
Тип корпуса: TO-263(D2PAK) Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00062435 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| .jpg)
| STGB35N35LZ-1 Транзистор IGBT Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar
Тип корпуса: TO-262(I2PAK) Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00062436 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| .jpg)
| STGD18N40LZT4 Транзистор IGBT БТИЗ транзистор, 25 А, 1.35 В, 125 Вт, 390 В, TO-252, 3 вывод(-ов)
Тип корпуса: TO-252(DPAK) Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00032691 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| .jpg)
| STGD3NB60SDT4 Транзистор IGBT Транзистор: IGBT: 600 В: 6 А при 25С: 48 Вт: TO-252-3
Тип корпуса: TO-252(DPAK) Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00049812 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| .jpg)
| STGD4M65DF2 Транзистор IGBT Транзистор: IGBT, 650В, 4А, 68Вт, DPAK
Тип корпуса: TO-252(DPAK) Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00075460
|
|
| .jpg)
| STGD5NB120SZT4 Транзистор IGBT БТИЗ транзистор, 10 А, 1.2 кВ, 75 Вт, 1.2 кВ, TO-252, 3 вывод(-ов)
Тип корпуса: TO-252(DPAK) Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00032692 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| .jpg)
| STGD6NC60HDT4 Транзистор IGBT IGBT транзистор - [TO-252-3]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 7 А: Uкэ.нас: 1.9 В
Тип корпуса: TO-252(DPAK) Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00032693 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| .jpg)
| STGD7NC60HT4 Транзистор IGBT IGBT транзистор, 25 А, 1.85 В, 70 Вт, 600 В
Тип корпуса: TO-252(DPAK) Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00062627 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| 
| STGF10NC60KD Транзистор IGBT IGBT транзистор, 9 А, 2.5 В, 25 Вт, 600 В, TO-220FP
Тип корпуса: TO-220FP Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00066725 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| 
| STGF14NC60KD Транзистор IGBT IGBT транзистор, 11 А, 2.5 В, 28 Вт, 600 В, TO-220FP, 3 вывод(-ов)
Тип корпуса: TO-220FP Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00067343 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| 
| STGF15H60DF Транзистор IGBT IGBT транзистор, 30 А, 1.6 В, 30 Вт, 600 В
Тип корпуса: TO-220FP Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00064164 Перейти в группу Транзистор IGBT |
|
| 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
пассивные
SMD-компоненты |
|
SMD-конденсаторы:
0201,
0402,
0603,
0805,
1206,
1210,
1812,
2220
SMD-резисторы:
0201,
0402,
0603,
0805,
1206,
2010,
2512
прецизионные
низкоомные
резисторные сборки
SMD-индуктивности: 0603,
0805,
1206 |
высоковольтная
керамика /
керамика класс Y1 и Y2 /
металлопленка
CL-21X /
металлопленка CL-21 MEF /
полипропиленовые CBB21 CBB22 /
полипропиленовые
X2-MKP /
высоковольтные CBB81 /
для двигателей
CBB61 / фазосдвигающие
CBB60E /
пусковые CBB65 /
Полистирольные конденсаторы СL11 /
Аксиальные
металлопленочные конденсаторы CL-20T /
Электролитические конденсаторы
/
Неполярные
/ Полимерные (твердотельные)
/ Тонкие для
ЖК /
Низкоимпедансные
/ Конденсаторы SMD, Серия RC |
Время генерации 0.384430 секунд Найдено 550 товаров |
Поставляемые компоненты










|