Технология

 Si

Вид монтажа

 SMD/SMT

Полярность транзистора

 P-Channel

Количество каналов

 1 Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток

 100 V

Id - непрерывный ток утечки

 75 mA

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 20 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

 - 20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

 1.5 V

Минимальная рабочая температура

 - 55 C

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Pd - рассеивание мощности

 330 mW

Канальный режим

 Enhancement

Конфигурация

 Single

Время спада

 8 ns

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

 50 mS

Высота

 1.02 mm

Длина

 3.04 mm

Время нарастания

 8 ns

Типичное время задержки выключения

 8 ns

Типичное время задержки при включении

 8 ns