Производитель

 Diodes Incorporated

Категория продукта

 МОП-транзистор

Технология

 Si

Тип корпуса

 TO-92-3

Количество каналов

 1 Channel

Полярность транзистора

 N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток

 100 V

Id - непрерывный ток утечки

 320 mA

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 4 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

 20 V

Рабочая температура

-55...150 C

Канальный режим

 Enhancement

Конфигурация

 Single

Время спада

 8 ns

Высота

 4.01 mm

Длина

 4.77 mm

Минимальная рабочая температура

 - 55 C

Pd - рассеивание мощности

 700 mW

Продукт

 MOSFET Small Signal

Время нарастания

 8 ns

Серия

 ZVN2110

Тип транзистора

 1 N-Channel

Тип

 FET

Типичное время задержки выключения

 13 ns

Типичное время задержки при включении

 7 ns

Ширина

 2.41 mm