Компания
Cree является мировым
лидером в производстве полупроводниковых кристаллов из карбида
кремния (SiC) и приборов на их основе. Полевые транзисторы, диоды и
другие полупроводниковые приборы на основе карбида кремния обладают
рядом преимуществ по сравнению с аналогичными кремниевыми приборами.
Среди них – рабочая температура кристалла до 600°С, высокое
быстродействие, радиационная стойкость.
Поставляемые компоненты
^ Наверх DIV >
Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина