КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Серии источников питания HDR на DIN рейку с ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения 100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт
HDR-15   HDR-30   HDR-60   HDR-100   HDR-150  

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
DC интеллектуальный ключ
VND5N07TR-E
МОП-транзистор, N Канал, 5 А, 70 В, 0.2 Ом, 10 В, 55 В

На складе ...
Производитель: ST
Тип корпуса: TO-252
код товара: 00-00030257

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 5 шт
от 20 шт


от 40 шт

123,00
108,82
101,80

96,71

Раздел:
DC интеллектуальный ключ


 

STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных компонентов


Категория продукта

 МОП-транзистор

Технология

 Si

Вид монтажа

 SMD/SMT

Тип корпуса

 TO-252-3

Количество каналов

 1 Channel

Полярность транзистора

 N-Channel

Id - непрерывный ток утечки

 5 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 200 mOhms

Qg - заряд затвора

 18 nC

Конфигурация

 Single

Pd - рассеивание мощности

 60 W

Канальный режим

 Enhancement

Квалификация

 AEC-Q101

Серия

 VND5N07-E

Тип транзистора

 1 N-Channel OMNIFET II Power MOSFET

Тип

 Power MOSFET

Время спада

 40 ns, 1100 ns

Время нарастания

 60 ns, 400 ns

Подкатегория

 MOSFETs

Вес изделия

 4 g

 
 









Транзистор полевой MOSFET


Полевой транзистор с изолированным затвором.
MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor (Металл-Оксид-Полупроводник Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим полем). Это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора очень высокое входное сопротивление.

Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП