Производитель

 Toshiba

Технология

 Si

Вид монтажа

 Through Hole

Тип корпуса

 TO-126N-3

Полярность транзистора

 PNP

Конфигурация

 Single

Максимальный постоянный ток коллектора

 4 A

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

 80 V

Напряжение коллектор-база (VCBO)

 80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

 7 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 300 mV

Pd - рассеивание мощности

 1.5 W

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

 100 MHz

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Непрерывный коллекторный ток

 - 2 A

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

 100

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

 200