КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Серии источников питания HDR на DIN рейку с ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения 100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт
HDR-15   HDR-30   HDR-60   HDR-100   HDR-150  

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор биполярный
TIP2955
Биполярный транзистор - TO-247-3, Тип: PNP, UКЭ(макс): 100 В, UКЭ(пад): 3 В, IК(макс): 15 А, Pрасс: 90 Вт, h21: 5...70

На складе ...
Производитель: ST
Тип корпуса: TO-247
код товара: 00-00053006

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 13 шт
от 57 шт

43,50
38,01
35,39

Раздел:
Транзистор биполярный


 

STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных компонентов


Категория продукта

 Биполярные транзисторы - BJT

Производитель

 STMicroelectronics

Вид монтажа

 Through Hole

Тип корпуса

 TO-247

Полярность транзистора

 PNP

Конфигурация

 Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

 60 V

Напряжение коллектор-база (VCBO)

 100 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 1 V

Максимальный постоянный ток коллектора

 15 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

 3 MHz

Рабочая температура

 -65...150 C

Непрерывный коллекторный ток

 15 A

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

 20

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

 70

Pd - рассеивание мощности

 90 W

 
 

Мы рекомендуем покупать с этим товаром

AOS3P2 - Изоляционный материал
Прокладка теплопроводящая: керамическая: Т03Р: L: 20мм: W: 23мм. Толщина 1мм. Теплопроводность 25Вт/мК. Изоляция электрическая 10кВ/мм. Диаметр монтажного отверстия 3,6 мм. Сопротивление изоляции шайбы 100Т?/cm
NIPPEL-TO-3 - Изоляционный материал
Изоляционная втулка для TO-3, Внешний диаметр: 8 мм.. Внутренний диаметр: 3,1 мм. Высота: 4,5 мм.
NIPPEL-TO-3E - Изоляционный материал
Изоляционная втулка для TO-3, Внешний диаметр: 12 мм.. Внутренний диаметр: 4,2 мм. Высота: 5 мм.
Rubber CAP TO-3 - Изоляционный материал
Изоляционный силиконовый кожух для компонетов в корпусе ТО-3
SMICA SOT93 - Изоляционный материал
Прокладка силиконовая 20x26мм для SOT93/TO3P
SMICA SOT93-2 - Изоляционный материал
Прокладка силиконовая с втулкой SOT93
TC-025-CERAMIC-TO-264 - Изоляционный материал
Керамическая пластина из (алюмооксидной керамики) Al2O3 для высокотемпературного применения. Применение: ТО-264. Размеры: (0.635)/1mm*22mm*28mm
Изолирующая накладка для TO-3P - Изоляционный материал
Изолирующая накладка, TOP3, Силикон. Размеры: 28,5х17,5х5,8мм, 0,8Вт/мК
Mica Sheet (HOLE) 18x22x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 18x22 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа
Mica Sheet (HOLE) 20x25x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 20x25 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа
Mica Sheet (HOLE) 22x29x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 22x29 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа






Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзисторы производства STMicroelectronics.
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных компонентов.

Биполярные транзисторы NPN
Биполярные транзисторы PNP

Транзисторы MOSFET
Транзисторы IGBT

Транзисторы RF силовые


Полный перечень транзисторов STM

Транзистор биполярный PNP производства STM
Биполярные транзисторы изготавливаются из кремния или германия. Работа биполярных транзисторов основана на использовании в качестве носителей заряда как электронов, так и дырок. Одну из крайних областей транзисторной структуры называют эмиттером. Промежуточную область называют базой, а другую крайнюю коллектором. Эти три электрода образуют два p-n перехода. PNP транзисторы открываются напряжением отрицательной полярности.


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП