| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET
STW7N95K3
MOSFET N-CH 950V 7.2A
На складе ...
Производитель: ST
Тип корпуса: TO-247
код товара: 00-00047252
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
 |
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна
из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей
различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных
компонентов |
|
Производитель |
STMicroelectronics
|
|
Категория продукта |
МОП-транзистор
|
|
Технология |
Si |
|
Вид монтажа |
Through Hole
|
|
Корпус |
TO-247-3
|
|
Количество каналов |
1 Channel
|
|
Полярность
транзистора |
N-Channel
|
|
Vds - напряжение
пробоя сток-исток |
950 V
|
|
Id - непрерывный ток
утечки |
7.2 A
|
|
Rds Вкл -
сопротивление сток-исток |
1.35 Ohms
|
|
Vgs - напряжение
затвор-исток |
30 V |
|
Qg - заряд затвора |
34 nC
|
|
Минимальная рабочая
температура |
- 55 C
|
|
Максимальная рабочая
температура |
+ 150 C
|
|
Конфигурация |
Single
|
|
Канальный режим |
Enhancement
|
|
Высота |
20.15 mm
|
|
Длина |
15.75 mm
|
|
Серия |
N-channel MDmesh
|
|
Тип транзистора |
1 N-Channel
|
|
Ширина |
5.15 mm
|
|
Время спада |
23 ns
|
|
Pd - рассеивание
мощности |
150 W
|
|
Время нарастания |
9 ns |
|
Типичное время
задержки выключения |
36 ns |
| | | Мы рекомендуем покупать с этим товаром |  | AOS3P2 - Изоляционный материал
Прокладка теплопроводящая: керамическая: Т03Р: L: 20мм: W: 23мм. Толщина 1мм. Теплопроводность 25Вт/мК. Изоляция электрическая 10кВ/мм. Диаметр монтажного отверстия 3,6 мм. Сопротивление изоляции шайбы 100Т?/cm |  | NIPPEL-TO-3 - Изоляционный материал
Изоляционная втулка для TO-3, Внешний диаметр: 8 мм.. Внутренний диаметр: 3,1 мм. Высота: 4,5 мм. |  | NIPPEL-TO-3E - Изоляционный материал
Изоляционная втулка для TO-3, Внешний диаметр: 12 мм.. Внутренний диаметр: 4,2 мм. Высота: 5 мм. |  | Rubber CAP TO-3 - Изоляционный материал
Изоляционный силиконовый кожух для компонетов в корпусе ТО-3 |  | SMICA SOT93 - Изоляционный материал
Прокладка силиконовая 20x26мм для SOT93/TO3P |  | SMICA SOT93-2 - Изоляционный материал
Прокладка силиконовая с втулкой SOT93 |  | TC-025-CERAMIC-TO-264 - Изоляционный материал
Керамическая пластина из (алюмооксидной керамики) Al2O3 для высокотемпературного применения. Применение: ТО-264. Размеры: (0.635)/1mm*22mm*28mm |  | Изолирующая накладка для TO-3P - Изоляционный материал
Изолирующая накладка, TOP3, Силикон. Размеры: 28,5х17,5х5,8мм, 0,8Вт/мК |  | Mica Sheet (HOLE) 18x22x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 18x22 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа | | Mica Sheet (HOLE) 20x25x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 20x25 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа | | Mica Sheet (HOLE) 22x29x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 22x29 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа |
|
MOSFET
транзисторы от STMICROELECTRONICS |
на складе в Харькове |
|
Силовые
транзисторы MOSFET – то поле, на
котором постоянно происходит битва технологий с целью повышения плотности
энергии. Пятая модификация известной технологии STMicro MDMesh – это
радикальное снижение сопротивления открытого канала за счет уменьшенного
расстояния между вставками в пространственной структуре кристалла. Эти
транзисторы применяются в преобразователях напряжения, корректорах
коэффициента мощности, импульсных источниках питания, автомобильном
оборудовании. |
 |
| |
|
|
Система
маркировки MOSFET-транзисторов
STMicroelectronics, представленная на
рисунке, позволяет получить основную информацию о компоненте -
максимальные рабочие токи, напряжение пробоя, тип канала и технология
изготовления.
 |
серии транзисторов на складе:
STB /
STD /
STF /
STP /
STW |
|
Компания
STMicroelectronics постоянно
совершенствует технологии производства транзисторов для высоковольтных и
низковольтных приложений. Ассортимент силовых транзисторов
STMicroelectronics включает
MOSFET-транзисторы для работы с
напряжениями 500...1500 В, IGBT-транзисторы
с предельными напряжениями 350...1300 В, а также широкий спектр биполярных
транзисторов.
Портфолио MOSFET-транзисторов
STMicroelectronics включает в себя p- и
n-канальные транзисторы с рабочими напряжениями до 1500 В с малой емкостью
затвора и низким сопротивлением открытого канала, представленные в более
чем тридцати вариантах корпусов различного способа монтажа (TO-220,
TO-220FP, I2PAK, D2PAK, I2PAKFP, DPAK, IPAK, TO-247, Max247, PowerFLAT и
др.). |
|
Поставляемые компоненты
|
