|   |   |   |         Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия |       Транзистор полевой MOSFET STW40N60M2 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 34 А, 0.078 Ом
  На складе ... Производитель: ST Тип корпуса: TO-247-3 код товара: 00-00064258
 
   СКАЧАТЬ PDF
 Кол-во  | Цена без НДС, грн  | Купить |  
  |       Раздел: Транзистор полевой MOSFET
  
 
  |      |   |   | 
	
		
			| 
			 
			
			   | 
			
			 
			STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна 
			из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей 
			различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных 
			компонентов  | 
		 
	 
 
 
	
		| 
		 Производитель 
		  | 
		
		 STMicroelectronics
		  | 
	 
	
		| 
		 Тип транзистора  | 
		
		  N-MOSFET 
		  | 
	 
	
		| 
		 Технология  | 
		
		  MDmesh™ || Plus
		  | 
	 
	
		| 
		 Полярность 
		  | 
		
		 полевой   | 
	 
	
		| 
		 Напряжение 
		сток-исток  | 
		
		  600В   | 
	 
	
		| 
		 Ток стока  | 
		
		  22А   | 
	 
	
		| 
		 Рассеиваемая 
		мощность  | 
		
		  250Вт 
		  | 
	 
	
		| 
		 Корпус 
		  | 
		
		 TO247   | 
	 
	
		| 
		 Напряжение 
		затвор-исток  | 
		
		  ±25В   | 
	 
	
		| 
		 Сопротивление в 
		открытом состоянии  | 
		
		  78мОм 
		  | 
	 
	
		| 
		 Вид канала 
		  | 
		
		 обогащенный  | 
	 
 
  |   |   |   Мы рекомендуем покупать с этим товаром  |    | ПОДЛОЖКА ЛИСТ 100x100 BM180 - Изоляционный материал Теплопроводная резина, прокладка с силиконовым покрытием ... 2.0 Вт / м.К: Рабочая температура: -60 ~ 200: Толщина: 0.18 мм. размер 100 на 100 мм. |    | AOS3P2 - Изоляционный материал Прокладка теплопроводящая: керамическая: Т03Р: L: 20мм: W: 23мм. Толщина 1мм. Теплопроводность 25Вт/мК. Изоляция электрическая 10кВ/мм. Диаметр монтажного отверстия 3,6 мм. Сопротивление изоляции шайбы 100Т?/cm |    | NIPPEL-TO-3 - Изоляционный материал Изоляционная втулка для TO-3, Внешний диаметр: 8 мм.. Внутренний диаметр: 3,1 мм. Высота: 4,5 мм. |    | NIPPEL-TO-3E - Изоляционный материал Изоляционная втулка для TO-3, Внешний диаметр: 12 мм.. Внутренний диаметр: 4,2 мм. Высота: 5 мм. |    | Rubber CAP TO-3 - Изоляционный материал Изоляционный силиконовый кожух для компонетов в корпусе ТО-3 |    | SMICA SOT93 - Изоляционный материал Прокладка силиконовая 20x26мм для SOT93/TO3P |    | SMICA SOT93-2 - Изоляционный материал Прокладка силиконовая с втулкой SOT93 |    | TC-025-CERAMIC-TO-264 - Изоляционный материал Керамическая пластина из (алюмооксидной керамики) Al2O3 для высокотемпературного применения. Применение: ТО-264. Размеры: (0.635)/1mm*22mm*28mm |    | Изолирующая накладка для TO-3P - Изоляционный материал Изолирующая накладка, TOP3, Силикон. Размеры: 28,5х17,5х5,8мм, 0,8Вт/мК |    | Mica Sheet (HOLE) 18x22x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 18x22 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа |    | Mica Sheet (HOLE) 20x25x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 20x25 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа |    | Mica Sheet (HOLE) 22x29x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 22x29 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа |   
  
    
      | 
       MOSFET 
      транзисторы от STMICROELECTRONICS  | 
      
      на складе в Харькове | 
     
    
      | 
       Силовые 
      транзисторы MOSFET – то поле, на 
      котором постоянно происходит битва технологий с целью повышения плотности 
      энергии. Пятая модификация известной технологии STMicro MDMesh – это 
      радикальное снижение сопротивления открытого канала за счет уменьшенного 
      расстояния между вставками в пространственной структуре кристалла. Эти 
      транзисторы применяются в преобразователях напряжения, корректорах 
      коэффициента мощности, импульсных источниках питания, автомобильном 
      оборудовании.  | 
      
      
        | 
     
    
      |   | 
        | 
     
    
      | 
       Система 
      маркировки MOSFET-транзисторов
      STMicroelectronics, представленная на 
      рисунке, позволяет получить основную информацию о компоненте - 
      максимальные рабочие токи, напряжение пробоя, тип канала и технология 
      изготовления. 
      
         | 
      
       
      серии транзисторов на складе:  
      STB /
      STD /
      STF /
      STP /
      STW  | 
     
    
      | 
       Компания 
      STMicroelectronics постоянно 
      совершенствует технологии производства транзисторов для высоковольтных и 
      низковольтных приложений. Ассортимент силовых транзисторов 
      STMicroelectronics включает
      MOSFET-транзисторы для работы с 
      напряжениями 500...1500 В, IGBT-транзисторы 
      с предельными напряжениями 350...1300 В, а также широкий спектр биполярных 
      транзисторов. 
       
      Портфолио MOSFET-транзисторов 
      STMicroelectronics включает в себя p- и 
      n-канальные транзисторы с рабочими напряжениями до 1500 В с малой емкостью 
      затвора и низким сопротивлением открытого канала, представленные в более 
      чем тридцати вариантах корпусов различного способа монтажа (TO-220, 
      TO-220FP, I2PAK, D2PAK, I2PAKFP, DPAK, IPAK, TO-247, Max247, PowerFLAT и 
      др.).  | 
     
   
 
 | 
      
 
 
Поставляемые компоненты
 
 
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
 |