| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET STW11NM80 MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 11 А: Rси(вкл): 0.4 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 30 В
На складе ... Производитель: ST Тип корпуса: TO-247 код товара: 00-00031305
СКАЧАТЬ PDF
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна
из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей
различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных
компонентов |
Производитель |
STMicroelectronics |
Тип полевого
транзистора |
N-канал |
Продукт |
МОП-транзистор
|
Напряжение стока к
источнику (Vdss) |
800 В |
Ток — непрерывный
сток (Id) при 25°C |
11А (Тс) |
Напряжение привода
|
10 В |
Rds включен (макс.)
@ Id, Vgs |
400 мОм при 5,5
А, 10 В |
Vgs(th) (Макс) @ Id |
5 В @ 250 мкА |
Заряд затвора (Qg)
(Макс.) @ Vgs |
43,6 нК при 10 В |
ВГС (Макс) |
±30 В |
Входная емкость (СНПЧ)
(макс.) @ Vds |
1630 пФ при 25 В |
Рассеиваемая
мощность (макс.) |
150 Вт (Тс) |
Рабочая Температура |
-65°C ~ 150°C
(ТДж) |
Корпус |
TO-247 |
| | | Мы рекомендуем покупать с этим товаром | | AOS3P2 - Изоляционный материал Прокладка теплопроводящая: керамическая: Т03Р: L: 20мм: W: 23мм. Толщина 1мм. Теплопроводность 25Вт/мК. Изоляция электрическая 10кВ/мм. Диаметр монтажного отверстия 3,6 мм. Сопротивление изоляции шайбы 100Т?/cm | | NIPPEL-TO-3 - Изоляционный материал Изоляционная втулка для TO-3, Внешний диаметр: 8 мм.. Внутренний диаметр: 3,1 мм. Высота: 4,5 мм. | | NIPPEL-TO-3E - Изоляционный материал Изоляционная втулка для TO-3, Внешний диаметр: 12 мм.. Внутренний диаметр: 4,2 мм. Высота: 5 мм. | | Rubber CAP TO-3 - Изоляционный материал Изоляционный силиконовый кожух для компонетов в корпусе ТО-3 | | SMICA SOT93 - Изоляционный материал Прокладка силиконовая 20x26мм для SOT93/TO3P | | SMICA SOT93-2 - Изоляционный материал Прокладка силиконовая с втулкой SOT93 | | TC-025-CERAMIC-TO-264 - Изоляционный материал Керамическая пластина из (алюмооксидной керамики) Al2O3 для высокотемпературного применения. Применение: ТО-264. Размеры: (0.635)/1mm*22mm*28mm | | Изолирующая накладка для TO-3P - Изоляционный материал Изолирующая накладка, TOP3, Силикон. Размеры: 28,5х17,5х5,8мм, 0,8Вт/мК | | Mica Sheet (HOLE) 18x22x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 18x22 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа | | Mica Sheet (HOLE) 20x25x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 20x25 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа | | Mica Sheet (HOLE) 22x29x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 22x29 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа |
MOSFET
транзисторы от STMICROELECTRONICS |
на складе в Харькове |
Силовые
транзисторы MOSFET – то поле, на
котором постоянно происходит битва технологий с целью повышения плотности
энергии. Пятая модификация известной технологии STMicro MDMesh – это
радикальное снижение сопротивления открытого канала за счет уменьшенного
расстояния между вставками в пространственной структуре кристалла. Эти
транзисторы применяются в преобразователях напряжения, корректорах
коэффициента мощности, импульсных источниках питания, автомобильном
оборудовании. |
|
|
|
Система
маркировки MOSFET-транзисторов
STMicroelectronics, представленная на
рисунке, позволяет получить основную информацию о компоненте -
максимальные рабочие токи, напряжение пробоя, тип канала и технология
изготовления.
|
серии транзисторов на складе:
STB /
STD /
STF /
STP /
STW |
Компания
STMicroelectronics постоянно
совершенствует технологии производства транзисторов для высоковольтных и
низковольтных приложений. Ассортимент силовых транзисторов
STMicroelectronics включает
MOSFET-транзисторы для работы с
напряжениями 500...1500 В, IGBT-транзисторы
с предельными напряжениями 350...1300 В, а также широкий спектр биполярных
транзисторов.
Портфолио MOSFET-транзисторов
STMicroelectronics включает в себя p- и
n-канальные транзисторы с рабочими напряжениями до 1500 В с малой емкостью
затвора и низким сопротивлением открытого канала, представленные в более
чем тридцати вариантах корпусов различного способа монтажа (TO-220,
TO-220FP, I2PAK, D2PAK, I2PAKFP, DPAK, IPAK, TO-247, Max247, PowerFLAT и
др.). |
|
Поставляемые компоненты
|