| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET STP55NF06 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 50 А, 0.015 Ом
На складе ... Производитель: ST Тип корпуса: TO-220 код товара: 00-00031269
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна
из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей
различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных
компонентов |
Производитель |
STMicroelectronics |
Тип полевого
транзистора |
N-канал |
Продукт |
МОП-транзистор
|
Напряжение стока к
источнику (Vdss) |
60 В |
Ток — непрерывный
сток (Id) при 25°C |
50А (Тс) |
Напряжение привода
|
10 В |
Rds включен (макс.)
@ Id, Vgs |
18 мОм при 27,5
А, 10 В |
Vgs(th) (Макс) @ Id |
4 В @ 250 мкА |
Заряд затвора (Qg)
(Макс.) @ Vgs |
60 нК при 10 В |
ВГС (Макс) |
±20 В |
Входная емкость (СНПЧ)
(макс.) @ Vds |
1300 пФ при 25 В |
Рассеиваемая
мощность (макс.) |
110 Вт (Тс) |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 175°C
(ТДж) |
Корпус |
TO-220 |
| | |
MOSFET
транзисторы от STMICROELECTRONICS |
на складе в Харькове |
Силовые
транзисторы MOSFET – то поле, на
котором постоянно происходит битва технологий с целью повышения плотности
энергии. Пятая модификация известной технологии STMicro MDMesh – это
радикальное снижение сопротивления открытого канала за счет уменьшенного
расстояния между вставками в пространственной структуре кристалла. Эти
транзисторы применяются в преобразователях напряжения, корректорах
коэффициента мощности, импульсных источниках питания, автомобильном
оборудовании. |
|
|
|
Система
маркировки MOSFET-транзисторов
STMicroelectronics, представленная на
рисунке, позволяет получить основную информацию о компоненте -
максимальные рабочие токи, напряжение пробоя, тип канала и технология
изготовления.
|
серии транзисторов на складе:
STB /
STD /
STF /
STP /
STW |
Компания
STMicroelectronics постоянно
совершенствует технологии производства транзисторов для высоковольтных и
низковольтных приложений. Ассортимент силовых транзисторов
STMicroelectronics включает
MOSFET-транзисторы для работы с
напряжениями 500...1500 В, IGBT-транзисторы
с предельными напряжениями 350...1300 В, а также широкий спектр биполярных
транзисторов.
Портфолио MOSFET-транзисторов
STMicroelectronics включает в себя p- и
n-канальные транзисторы с рабочими напряжениями до 1500 В с малой емкостью
затвора и низким сопротивлением открытого канала, представленные в более
чем тридцати вариантах корпусов различного способа монтажа (TO-220,
TO-220FP, I2PAK, D2PAK, I2PAKFP, DPAK, IPAK, TO-247, Max247, PowerFLAT и
др.). |
|
Поставляемые компоненты
|