|     |  |  |  |  |  Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
 Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
 | Транзистор полевой MOSFET STP4NK80Z
 MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 3 А: Rси(вкл): 3.5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 22.5 нКл
 
 На складе ...
 Производитель: ST
 Тип корпуса: TO-220-3
 код товара: 00-00031267
 
 
 | Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить | 
 | Раздел: Транзистор полевой MOSFET
 
  
 
 |  |  |  |  |  | 
	
		
			| 
			
			 | 
			STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна 
			из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей 
			различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных 
			компонентов |  
 
	
		| Производитель |  STMicroelectronics |  
		| Тип полевого 
		транзистора |  N-канал |  
		| Продукт |  МОП-транзистор
		 |  
		| Напряжение стока к 
		источнику (Vdss) |  800 В |  
		| Ток — непрерывный 
		сток (Id) при 25°C |  3А (Тс) |  
		| Напряжение привода | 10 В |  
		| Rds включен (макс.) 
		@ Id, Vgs |  3,5 Ом @ 1,5 А, 
		10 В |  
		| Vgs(th) (Макс) @ Id |  4,5 В при 50 мкА |  
		| Заряд затвора (Qg) 
		(Макс.) @ Vgs |  22,5 нК при 10 В |  
		| ВГС (Макс) |  ±30 В |  
		| Входная емкость (СНПЧ) 
		(макс.) @ Vds |  575 пФ при 25 В |  
		| Рассеиваемая 
		мощность (макс.) |  80 Вт (Тс) |  
		| Рабочая Температура |  -55°C ~ 150°C 
		(ТДж) |  
		| Корпус |  TO-220 |  |  |  |  | 
  
    
      | MOSFET 
      транзисторы от STMICROELECTRONICS | на складе в Харькове |  
      | Силовые 
      транзисторы MOSFET – то поле, на 
      котором постоянно происходит битва технологий с целью повышения плотности 
      энергии. Пятая модификация известной технологии STMicro MDMesh – это 
      радикальное снижение сопротивления открытого канала за счет уменьшенного 
      расстояния между вставками в пространственной структуре кристалла. Эти 
      транзисторы применяются в преобразователях напряжения, корректорах 
      коэффициента мощности, импульсных источниках питания, автомобильном 
      оборудовании. |  |  
      |  |  |  
      | Система 
      маркировки MOSFET-транзисторов
      STMicroelectronics, представленная на 
      рисунке, позволяет получить основную информацию о компоненте - 
      максимальные рабочие токи, напряжение пробоя, тип канала и технология 
      изготовления. 
       |  
      серии транзисторов на складе: STB /
      STD /
      STF /
      STP /
      STW
 |  
      | Компания 
      STMicroelectronics постоянно 
      совершенствует технологии производства транзисторов для высоковольтных и 
      низковольтных приложений. Ассортимент силовых транзисторов 
      STMicroelectronics включает
      MOSFET-транзисторы для работы с 
      напряжениями 500...1500 В, IGBT-транзисторы 
      с предельными напряжениями 350...1300 В, а также широкий спектр биполярных 
      транзисторов.
 Портфолио MOSFET-транзисторов 
      STMicroelectronics включает в себя p- и 
      n-канальные транзисторы с рабочими напряжениями до 1500 В с малой емкостью 
      затвора и низким сопротивлением открытого канала, представленные в более 
      чем тридцати вариантах корпусов различного способа монтажа (TO-220, 
      TO-220FP, I2PAK, D2PAK, I2PAKFP, DPAK, IPAK, TO-247, Max247, PowerFLAT и 
      др.).
 |  | 
Поставляемые компоненты
 
 
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  |