| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET
STP26NM60N
МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 600 В, 0.135 Ом, 10 В, 3 В
На складе ...
Производитель: ST
Тип корпуса: TO-220-3
код товара: 00-00031256
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
 |
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна
из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей
различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных
компонентов |
|
Категория продукта |
МОП-транзистор
|
|
Производитель |
STMicroelectronics
|
|
Технология |
Si |
|
Вид монтажа |
Through Hole
|
|
Корпус |
TO-220-3
|
|
Количество каналов |
1 Channel
|
|
Полярность
транзистора |
N-Channel
|
|
Vds - напряжение
пробоя сток-исток |
600 V
|
|
Id - непрерывный ток
утечки |
20 A |
|
Rds Вкл -
сопротивление сток-исток |
165 mOhms
|
|
Vgs - напряжение
затвор-исток |
25 V |
|
Минимальная рабочая
температура |
- 55 C
|
|
Максимальная рабочая
температура |
+ 150 C
|
|
Конфигурация |
Single
|
|
Канальный режим |
Enhancement
|
|
Время спада |
50 ns
|
|
Высота |
9.15 mm
|
|
Длина |
10.4 mm
|
|
Pd - рассеивание
мощности |
140 W
|
|
Время нарастания |
25 ns
|
|
Серия |
N-channel MDmesh
|
|
Тип транзистора |
1 N-Channel
|
|
Типичное время
задержки выключения |
85 ns
|
|
Типичное время
задержки при включении |
13 ns
|
|
Ширина |
4.6 mm |
| | |
|
MOSFET
транзисторы от STMICROELECTRONICS |
на складе в Харькове |
|
Силовые
транзисторы MOSFET – то поле, на
котором постоянно происходит битва технологий с целью повышения плотности
энергии. Пятая модификация известной технологии STMicro MDMesh – это
радикальное снижение сопротивления открытого канала за счет уменьшенного
расстояния между вставками в пространственной структуре кристалла. Эти
транзисторы применяются в преобразователях напряжения, корректорах
коэффициента мощности, импульсных источниках питания, автомобильном
оборудовании. |
 |
| |
|
|
Система
маркировки MOSFET-транзисторов
STMicroelectronics, представленная на
рисунке, позволяет получить основную информацию о компоненте -
максимальные рабочие токи, напряжение пробоя, тип канала и технология
изготовления.
 |
серии транзисторов на складе:
STB /
STD /
STF /
STP /
STW |
|
Компания
STMicroelectronics постоянно
совершенствует технологии производства транзисторов для высоковольтных и
низковольтных приложений. Ассортимент силовых транзисторов
STMicroelectronics включает
MOSFET-транзисторы для работы с
напряжениями 500...1500 В, IGBT-транзисторы
с предельными напряжениями 350...1300 В, а также широкий спектр биполярных
транзисторов.
Портфолио MOSFET-транзисторов
STMicroelectronics включает в себя p- и
n-канальные транзисторы с рабочими напряжениями до 1500 В с малой емкостью
затвора и низким сопротивлением открытого канала, представленные в более
чем тридцати вариантах корпусов различного способа монтажа (TO-220,
TO-220FP, I2PAK, D2PAK, I2PAKFP, DPAK, IPAK, TO-247, Max247, PowerFLAT и
др.). |
|
Поставляемые компоненты
|
