КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
|
| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET STN1NK80Z Транзистор: N-MOSFET: полевой: 800В: 160мА: 2,5Вт
На складе ... Производитель: ST Тип корпуса: SOT223 код товара: 00-00031226
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна
из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей
различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных
компонентов |
Категория продукта |
МОП-транзистор
|
Производитель |
STMicroelectronics
|
Технология |
Si |
Вид монтажа |
SMD/SMT
|
Корпус |
SOT-223-3
|
Количество каналов |
1 Channel
|
Полярность
транзистора |
N-Channel
|
Vds - напряжение
пробоя сток-исток |
800 V
|
Id - непрерывный ток
утечки |
250 mA
|
Rds Вкл -
сопротивление сток-исток |
16 Ohms
|
Vgs - напряжение
затвор-исток |
30 V |
Qg - заряд затвора |
7.7 nC
|
Минимальная рабочая
температура |
- 55 C
|
Максимальная рабочая
температура |
+ 150 C
|
Конфигурация |
Single
|
Канальный режим |
Enhancement
|
Время спада |
55 ns
|
Высота |
1.8 mm
|
Длина |
6.5 mm
|
Pd - рассеивание
мощности |
2.5 W
|
Время нарастания |
30 ns
|
Серия |
STQ1NK80ZR-AP
|
Тип транзистора |
1 N-Channel
|
Тип |
Power MOSFET
|
Типичное время
задержки выключения |
22 ns
|
Типичное время
задержки при включении |
8 ns |
Ширина |
3.5 mm |
| | |
MOSFET
транзисторы от STMICROELECTRONICS |
на складе в Харькове |
Силовые
транзисторы MOSFET – то поле, на
котором постоянно происходит битва технологий с целью повышения плотности
энергии. Пятая модификация известной технологии STMicro MDMesh – это
радикальное снижение сопротивления открытого канала за счет уменьшенного
расстояния между вставками в пространственной структуре кристалла. Эти
транзисторы применяются в преобразователях напряжения, корректорах
коэффициента мощности, импульсных источниках питания, автомобильном
оборудовании. |
|
|
|
Система
маркировки MOSFET-транзисторов
STMicroelectronics, представленная на
рисунке, позволяет получить основную информацию о компоненте -
максимальные рабочие токи, напряжение пробоя, тип канала и технология
изготовления.
|
серии транзисторов на складе:
STB /
STD /
STF /
STP /
STW |
Компания
STMicroelectronics постоянно
совершенствует технологии производства транзисторов для высоковольтных и
низковольтных приложений. Ассортимент силовых транзисторов
STMicroelectronics включает
MOSFET-транзисторы для работы с
напряжениями 500...1500 В, IGBT-транзисторы
с предельными напряжениями 350...1300 В, а также широкий спектр биполярных
транзисторов.
Портфолио MOSFET-транзисторов
STMicroelectronics включает в себя p- и
n-канальные транзисторы с рабочими напряжениями до 1500 В с малой емкостью
затвора и низким сопротивлением открытого канала, представленные в более
чем тридцати вариантах корпусов различного способа монтажа (TO-220,
TO-220FP, I2PAK, D2PAK, I2PAKFP, DPAK, IPAK, TO-247, Max247, PowerFLAT и
др.). |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП