Производитель

 STMicroelectronics

Категория продукта

 МОП-транзистор

Технология

 Si

Вид монтажа

 Through Hole

Тип корпуса

 TO-220-3

Полярность транзистора

 N-Channel

Количество каналов

 1 Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток

 650 V

Id - непрерывный ток утечки

 34 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 88 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

 - 25 V, + 25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

 3 V

Qg - заряд затвора

 57 nC

Рабочая температура

 - 55 C ... + 150 C

Pd - рассеивание мощности

 40 W 

Конфигурация

 Single

Тип транзистора

 1 N-Channel

Время спада

 11 ns

Время нарастания

 13.5 ns

Типичное время задержки выключения

 96 ns

Типичное время задержки при включении

 20.5 ns