| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET STD13N60M2 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 7А, 110Вт Временно нет на складе...
Производитель: ST Тип корпуса: TO-252 код товара: 00-00073177
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна
из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей
различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных
компонентов |
Производитель |
STMicroelectronics |
Полярность
транзистора |
N-канал |
Продукт |
МОП-транзистор
(оксид металла) |
Напряжение
сток-исток (Vdss) |
600В |
Ток — непрерывный,
слив (Id) при 25°C |
11А (Тс) |
Рабочее напряжение
(макс. Rds(Вкл.), мин. Rds(Вкл)) |
10 В |
Rds(On) (Макс.) при
Id, Vgs |
380 мОм при 5,5
А, 10 В |
Vgs(th) (макс.) при
Id |
4 В при 250 мкА |
Плата за ворота (Qg)
(Макс.) при Vgs |
17 нК при 10 В |
ВГС (Макс.) |
±25 В |
Входная емкость (Цисс.)
(макс.) при Vds |
580пФ при 100В |
Потеря мощности
(макс.) |
110 Вт (TC) |
Рабочая температура |
От -55°C до 150°C
(ТДж) |
Монтаж |
SMD/SMT |
Корпус |
TO-252 |
| | |
MOSFET
транзисторы от STMICROELECTRONICS |
на складе в Харькове |
Силовые
транзисторы MOSFET – то поле, на
котором постоянно происходит битва технологий с целью повышения плотности
энергии. Пятая модификация известной технологии STMicro MDMesh – это
радикальное снижение сопротивления открытого канала за счет уменьшенного
расстояния между вставками в пространственной структуре кристалла. Эти
транзисторы применяются в преобразователях напряжения, корректорах
коэффициента мощности, импульсных источниках питания, автомобильном
оборудовании. |
|
|
|
Система
маркировки MOSFET-транзисторов
STMicroelectronics, представленная на
рисунке, позволяет получить основную информацию о компоненте -
максимальные рабочие токи, напряжение пробоя, тип канала и технология
изготовления.
|
серии транзисторов на складе:
STB /
STD /
STF /
STP /
STW |
Компания
STMicroelectronics постоянно
совершенствует технологии производства транзисторов для высоковольтных и
низковольтных приложений. Ассортимент силовых транзисторов
STMicroelectronics включает
MOSFET-транзисторы для работы с
напряжениями 500...1500 В, IGBT-транзисторы
с предельными напряжениями 350...1300 В, а также широкий спектр биполярных
транзисторов.
Портфолио MOSFET-транзисторов
STMicroelectronics включает в себя p- и
n-канальные транзисторы с рабочими напряжениями до 1500 В с малой емкостью
затвора и низким сопротивлением открытого канала, представленные в более
чем тридцати вариантах корпусов различного способа монтажа (TO-220,
TO-220FP, I2PAK, D2PAK, I2PAKFP, DPAK, IPAK, TO-247, Max247, PowerFLAT и
др.). |
|
Поставляемые компоненты
|