Категория продукта

 МОП-транзистор

Производитель

 ON Semiconductor

Технология

 Si

Вид монтажа

 Through Hole

Корпус

 TO-220-3

Количество каналов

 1 Channel

Полярность транзистора

 N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток

 800 V

Id - непрерывный ток утечки

 3 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 4.8 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

 30 V

Минимальная рабочая температура

 - 55 C

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Конфигурация

 Single

Канальный режим

 Enhancement

Время спада

 24 ns

Высота

 16.3 mm

Длина

 10.67 mm

Pd - рассеивание мощности

 100 W

Время нарастания

 26 ns

Серия

 SSP3N80

Тип транзистора

 1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

 46 ns

Типичное время задержки при включении

 16 ns

Ширина

 4.7 mm