КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Серии источников питания HDR на DIN рейку с ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения 100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт
HDR-15   HDR-30   HDR-60   HDR-100   HDR-150  

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор биполярный
SS8550CBU
Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 1.5 A 200MHz 1 W

На складе ...
Производитель: FAIR
Тип корпуса: TO-92-3pins
код товара: 00-00032609

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 492 шт
от 2112 шт

1,50
1,02
0,95

Раздел:
Транзистор биполярный


 

Категория продукта

 Биполярные транзисторы - BJT

Производитель

Fairchild

Вид монтажа

 Through Hole

Корпус

 TO-92-3

Полярность транзистора

 PNP

Конфигурация

 Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

 - 25 V

Напряжение коллектор-база (VCBO)

 - 40 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

 - 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 - 0.28 V

Максимальный постоянный ток коллектора

 1.5 A

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Серия

 SS8550

Непрерывный коллекторный ток

 - 1.5 A

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

 85

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

 300

Высота

 4.7 mm

Длина

 4.7 mm

Минимальная рабочая температура

 - 65 C

Pd - рассеивание мощности

 1 W

Ширина

 3.93 mm

Другие названия товара №

 SS8550CBU_NL

Вес изделия

 179 mg

 
 

Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзистор биполярный


Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. На практике используются транзисторы обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p транзисторе дырки.

Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП