КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Серии источников питания HDR на DIN рейку с ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения 100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт
HDR-15   HDR-30   HDR-60   HDR-100   HDR-150  

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор полевой MOSFET
SIHG22N60E-GE3
МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 600 В, 0.15 Ом, 10 В, 2 В

На складе ...
Производитель: VISHAY
Тип корпуса: TO-247AC
код товара: 00-00058875

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 3 шт
от 7 шт


от 49 шт

84,50
82,65
81,92

77,82

Раздел:
Транзистор полевой MOSFET


 

Vishay Intertechnology — международная компания, один из крупнейших поставщиков прецизионных дискретных полупроводниковых приборов и пассивных электронных компонентов в мире. В нашем каталоге представлены следующие группы товаров:
Транзистор полевой MOSFET, Танталовый конденсатор, Резистор, Фотодиод, Терморезистор, Диодный мост, Диод, Оптопара, Стабилитрон


Производитель

 Vishay

Категория продукта

 МОП-транзистор

Тип корпуса

 TO-247AC-3

Количество каналов

 1 Channel

Полярность транзистора

 N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток

 600 V

Id - непрерывный ток утечки

 21 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 180 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

 4 V

Vgs - напряжение затвор-исток

 30 V

Qg - заряд затвора

 57 nC

Рабочая температура

 - 55 C ... + 150 С

Конфигурация

 Single

Pd - рассеивание мощности

 227 W

Канальный режим

 Enhancement

Время спада

 35 ns

Время нарастания

 27 ns

Типичное время задержки выключения

 66 ns

Типичное время задержки при включении

 18 ns

 
 

Мы рекомендуем покупать с этим товаром

AOS3P2 - Изоляционный материал
Прокладка теплопроводящая: керамическая: Т03Р: L: 20мм: W: 23мм. Толщина 1мм. Теплопроводность 25Вт/мК. Изоляция электрическая 10кВ/мм. Диаметр монтажного отверстия 3,6 мм. Сопротивление изоляции шайбы 100Т?/cm
NIPPEL-TO-3 - Изоляционный материал
Изоляционная втулка для TO-3, Внешний диаметр: 8 мм.. Внутренний диаметр: 3,1 мм. Высота: 4,5 мм.
NIPPEL-TO-3E - Изоляционный материал
Изоляционная втулка для TO-3, Внешний диаметр: 12 мм.. Внутренний диаметр: 4,2 мм. Высота: 5 мм.
Rubber CAP TO-3 - Изоляционный материал
Изоляционный силиконовый кожух для компонетов в корпусе ТО-3
SMICA SOT93 - Изоляционный материал
Прокладка силиконовая 20x26мм для SOT93/TO3P
SMICA SOT93-2 - Изоляционный материал
Прокладка силиконовая с втулкой SOT93
TC-025-CERAMIC-TO-264 - Изоляционный материал
Керамическая пластина из (алюмооксидной керамики) Al2O3 для высокотемпературного применения. Применение: ТО-264. Размеры: (0.635)/1mm*22mm*28mm
Изолирующая накладка для TO-3P - Изоляционный материал
Изолирующая накладка, TOP3, Силикон. Размеры: 28,5х17,5х5,8мм, 0,8Вт/мК
Mica Sheet (HOLE) 18x22x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 18x22 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа
Mica Sheet (HOLE) 20x25x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 20x25 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа
Mica Sheet (HOLE) 22x29x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 22x29 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа

Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзистор полевой MOSFET


Полевой транзистор с изолированным затвором.
MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor (Металл-Оксид-Полупроводник Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим полем). Это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора очень высокое входное сопротивление.

Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП