Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор IGBT SGL160N60UFDTU IGBT транзистор - Примечание SINGLE IGBT, 600V, 160A, DC Collector Current160A. На складе ... Производитель: FAIR Тип корпуса: TO-264 код товара: 00-00046134 Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 2 шт от 3 шт от 10 шт 640,50 562,48 523,69 497,51 Раздел: Транзистор IGBT   Категория продукта  Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Конфигурация  Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.  600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер  2.1 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер  +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C  160 A Ток утечки затвор-эмиттер  +/- 100 nA Рассеяние мощности  250 W Максимальная рабочая температура  + 150 C Корпус  TO-264-3 Непрерывный ток коллектора Ic, макс.  160 A Минимальная рабочая температура  - 55 C Вид монтажа  Through Hole Серия  SGL160N60 Производитель  Fairchild Semiconductor     Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок Транзистор IGBT IGBT транзистор - (Insulated Gate Bipolar Transistor) представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Преимуществом подобной структуры является простота управления полевым транзистором (управление напряжением) и низкое падение напряжения в состоянии проводимости у биполярного транзистора Транзистор IGBT IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Транзисторы производства STMicroelectronics. Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Транзисторы производства International Rectifier. Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Транзистор полевой СВЧ Сверхвысокочастотные полевые транзисторы Полный перечень транзисторов на складе

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП