КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
конденсаторы - выборка по номиналу ёмкости
перейти в раздел "Конденсаторы"
0,033mkf -
0,047mkf -
0,068mkf -
0,01mkf -
0,1mkf -
0,22mkf -
0,33mkf -
0,47mkf -
0,68mkf -
1mkf -
2,2mkf -
3,3mkf -
4,7mkf -
10mkf -
22mkf -
33mkf -
47mkf -
68mkf -
82mkf -
100mkf -
120mkf -
150mkf -
220mkf -
330mkf -
470mkf -
560mkf -
680mkf -
820mkf -
1000mkf -
1500mkf -
2200mkf -
3300mkf -
4700mkf -
6800mkf -
10000mkf -
15000mkf -
22000mkf -
33000mkf -
47000mkf -
68000mkf -
100000mkf -
220000mkf -
330000mkf -
470000mkf -
680000mkf -
1000000mkf
Все
0,033
0,047
0,068
0,01
0,1
0,22
0,33
0,47
0,68
1
2,2
3,3
4,7
10
22
33
47
68
82
100
120
150
220
330
470
560
680
820
1000
1500
2200
3300
4700
6800
10000
15000
22000
33000
47000
68000
100000
220000
330000
470000
680000
1000000
Напряжение, В
Все
6,3v
10v
16v
25v
35v
50v
63v
100v
160v
200v
250v
350v
400v
450v
Диаметр, мм
Все
3
4
5
6,3
8
10
11
12
12.5
13
16
18
22
25
30
34
35
40
51
64
76
89
90
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор IGBTSGH80N60UFDTU IGBT транзистор, 80 А, 2.6 В, 195 Вт, 600 ВНа складе ... Производитель: FAIR Тип корпуса: TO-3P код товара: 00-00032794 Кол-во
Цена без НДС, грн
Купить
Раздел:Транзистор IGBT
Производитель
onsemi
П родукт
IGBT-транзисторы
Корпус
ТО-3П-3
М онтаж
Сквозное
отверстие
Конфигурация
Одиночная
Напряжение
коллектор-эмиттер VCEO Макс.
600 В
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер
2,1 В
Максимальное
напряжение затвор-эмиттер
- 20 В, + 20 В
Непрерывный ток
коллектора при 25 C
80 А
Pd — Рассеиваемая
мощность
195 Вт
Минимальная рабочая
температура
- 55 С.
Максимальная рабочая
температура
+ 150 С
Непрерывный ток
коллектора
80 А
Непрерывный ток
коллектора Ic Макс.
80 А
Ток утечки
затвор-эмиттер
+/- 100 нА
Транзистор IGBT
IGBT транзистор - (Insulated
Gate Bipolar Transistor) представляет собой интегральную монолитную
структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого
транзистора. Преимуществом подобной структуры является простота
управления полевым транзистором (управление напряжением) и низкое
падение напряжения в состоянии проводимости у биполярного
транзистора
Транзистор IGBT Пластиковые
Поставляемые компоненты
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП