Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор IGBT RJH65T14DPQ-A0#T0 Транзистор IGBT Trench 650 В 100 А 250 Вт На складе ... Производитель: RENESAS Тип корпуса: TO-247 код товара: 00-00071183
Транзисторы
производства STMicroelectronics.
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна из
крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей
различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных
компонентов.
Транзистор IGBT производства STMicroelectronics
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) - является
продуктом развития технологии силовых транзисторов MOSFET и сочетает
в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре:
биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал
управления). Линейка IGBT-транзисторов компании STMicroelectronics
включает IGBT с рабочим напряжением 400 В для силовых инверторов,
IGBT с рабочим напряжением 600 В для мостовых и полумостовых
драйверов управления электродвигателями в стационарных устройствах и
IGBT с рабочим напряжением 900...1300 В для силовых модулей и систем
управления электродвигателями электромобилей.
Поставляемые компоненты
^ Наверх DIV >
Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина