КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
конденсаторы - выборка по номиналу ёмкости
перейти в раздел "Конденсаторы"
0,033mkf -
0,047mkf -
0,068mkf -
0,01mkf -
0,1mkf -
0,22mkf -
0,33mkf -
0,47mkf -
0,68mkf -
1mkf -
2,2mkf -
3,3mkf -
4,7mkf -
10mkf -
22mkf -
33mkf -
47mkf -
68mkf -
82mkf -
100mkf -
120mkf -
150mkf -
220mkf -
330mkf -
470mkf -
560mkf -
680mkf -
820mkf -
1000mkf -
1500mkf -
2200mkf -
3300mkf -
4700mkf -
6800mkf -
10000mkf -
15000mkf -
22000mkf -
33000mkf -
47000mkf -
68000mkf -
100000mkf -
220000mkf -
330000mkf -
470000mkf -
680000mkf -
1000000mkf
Все
0,033
0,047
0,068
0,01
0,1
0,22
0,33
0,47
0,68
1
2,2
3,3
4,7
10
22
33
47
68
82
100
120
150
220
330
470
560
680
820
1000
1500
2200
3300
4700
6800
10000
15000
22000
33000
47000
68000
100000
220000
330000
470000
680000
1000000
Напряжение, В
Все
6,3v
10v
16v
25v
35v
50v
63v
100v
160v
200v
250v
350v
400v
450v
Диаметр, мм
Все
3
4
5
6,3
8
10
11
12
12.5
13
16
18
22
25
30
34
35
40
51
64
76
89
90
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор биполярныйPZT2222A.115 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 200 МГц, 1.15 Вт, 600 мА, 100 hFEНа складе ... Производитель: NEX-NXP Тип корпуса: SOT223 код товара: 00-00060737 Кол-во
Цена без НДС, грн
Купить
Раздел:Транзистор биполярный
Один из ведущих
поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических
микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных
МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia
со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды)
Производитель
NEXPERIA
Тип транзистора
NPN
Полярность
биполярный
Напряжение
коллектор-эмиттер
40В
Ток коллектора
600мА
Рассеиваемая
мощность
1,15Вт
Корпус
SOT223
Монтаж
SMD
Частота
300МГц
Транзистор биполярный
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки.
Транзистор IGBT Пластиковые
Поставляемые компоненты
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП