КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

 

пассивные SMD-компоненты

конденсаторы

SMD-конденсаторы: 0402, 0603, 0805, 1206
SMD-резисторы: 0201, 0402, 0603, 0805, 1206, 2010, 2512
прецизионные низкоомные резисторные сборки

SMD-индуктивности: 0603, 0805, 1206

высоковольтная керамика / керамика класс Y1 и Y2 / металлопленка CL-21X / металлопленка CL-21 MEF / полипропиленовые CBB21 CBB22 / полипропиленовые X2-MKP / высоковольтные CBB81 / для двигателей CBB61 / фазосдвигающие CBB60E / пусковые CBB65 / Полистирольные конденсаторы СL11 / Аксиальные металлопленочные конденсаторы CL-20T / Электролитические конденсаторы / Неполярные / Полимерные (твердотельные) / Тонкие для ЖК / Низкоимпедансные / Конденсаторы SMD, Серия RC

 

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор полевой MOSFET
PHP20N06T,127
Транзистор MOSFET N-CH 55V 20.3A

На складе ...
Производитель: NEXPERIA
Тип корпуса: TO-220
код товара: 00-00071269

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 12 шт
от 53 шт

46,00
40,40
37,61

Раздел:
Транзистор полевой MOSFET


 

Один из ведущих поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды)


 

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное сопротивление источника стока

75 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Максимальное напряжение источника затвора

-20 В, +20 В

Максимальное пороговое напряжение затвора

4 В

Максимальная рассеиваемая мощность

62 Вт

Минимальное пороговое напряжение затвора

2 В

Рабочая температура

-55...175 °C

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Количество элементов на чип

1

Корпус

ТО-220

Количество контактов

3

Конфигурация транзистора

одинарный

Материал транзистора

Si

Типичный заряд затвора при Vgs

11 нКл при 10 В

 
 

Мы рекомендуем покупать с этим товаром

Rubber CAP TO-220 - Изоляционный материал
Изоляционный силиконовый кожух для компонетов в корпусе ТО-220
TC-025-CERAMIC-TO-220 - Изоляционный материал
Керамическая пластина из (алюмооксидной керамики) Al2O3 для высокотемпературного применения. Применение: ТО-220. Размеры: (0.635)/1mm*14mm*20mm
NIPPEL-TO220-WHITE - Изоляционный материал
Изоляционная втулка для TO220
SMICA TO220 - Изоляционный материал
Прокладка силиконовая 18x13мм для TO220
TO220-SET - Изоляционный материал
Набор для изоляции транзисторов TO220
Mica Sheet (HOLE) 13x18x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 13x18 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа



Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзисторы производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным мировым лидером по производству электронных компонентов для преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов. Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой электроники и широко используется независимыми производителями.

Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе

Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях, пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое последнее время.


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП