КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
пассивные
SMD-компоненты |
конденсаторы |
SMD-конденсаторы:
0402,
0603,
0805,
1206
SMD-резисторы:
0201,
0402,
0603,
0805,
1206,
2010,
2512
прецизионные
низкоомные
резисторные сборки
SMD-индуктивности: 0603,
0805,
1206 |
высоковольтная
керамика /
керамика класс Y1 и Y2 /
металлопленка
CL-21X /
металлопленка CL-21 MEF /
полипропиленовые CBB21 CBB22 /
полипропиленовые
X2-MKP /
высоковольтные CBB81 /
для двигателей
CBB61 / фазосдвигающие
CBB60E /
пусковые CBB65 /
Полистирольные конденсаторы СL11 /
Аксиальные
металлопленочные конденсаторы CL-20T /
Электролитические конденсаторы
/
Неполярные
/ Полимерные (твердотельные)
/ Тонкие для
ЖК /
Низкоимпедансные
/ Конденсаторы SMD, Серия RC |
|
|
| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор биполярный PDTA124ET.215 Биполярный транзистор - Тип: PNP: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: h21: от 56: R1: 22 Ом: R2: 22 Ом
На складе ... Производитель: NEX-NXP Тип корпуса: SOT23 код товара: 00-00032569
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор биполярный
| | | |
|
Один из ведущих
поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических
микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных
МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia
со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды) |
Конфигурация |
Single
|
Полярность
транзистора |
PNP |
Типичное входное
сопротивление |
22 kOhms
|
Типичный коэффициент
деления резистора |
1 |
Вид монтажа |
SMD/SMT
|
Тип
корпуса |
SOT-23-3
|
Напряжение
коллектор-эмиттер (VCEO), макс. |
50 V |
Непрерывный
коллекторный ток |
100 mA
|
Пиковый постоянный
ток коллектора |
100 mA
|
Тип продукта |
BJTs - Bipolar
Transistors - Pre-Biased |
Подкатегория |
Transistors
|
Другие названия
товара № |
PDTA124ET T/R
|
Вес изделия |
8 mg |
| | |
|
Транзистор биполярный
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки. |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП