Один из ведущих
поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических
микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных
МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia
со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды)
Категория продукта
Биполярные
транзисторы - BJT
Производитель
Nexperia
Вид монтажа
SMD/SMT
Корпус
SOT-23-3
Полярность
транзистора
NPN
Конфигурация
Single
Напряжение
коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Напряжение
коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение
эмиттер-база (VEBO)
5 V
Максимальный
постоянный ток коллектора
5 A
Максимальная рабочая
температура
+ 150 C
Непрерывный
коллекторный ток
2 A
Коллектор
постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
300
Коэффициент усиления
по постоянному току (hFE), макс.
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки.
.jpg)
