Производитель

 ON Semiconductor

Категория продукта

 МОП-транзистор

Технология

 Si

Вид монтажа

 SMD/SMT

Тип корпуса

 SOT-23-3

Полярность транзистора

 N-Channel

Количество каналов

 1 Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток

 30 V

Id - непрерывный ток утечки

 2.5 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 110 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

 - 20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

 1 V

Qg - заряд затвора

 3.6 nC

Рабочая температура

 - 55 C ... + 150 C

Pd - рассеивание мощности

 730 mW

Канальный режим

 Enhancement

Конфигурация

 Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

 5.3 S

Время спада

 1.6 ns, 1.8 ns

Время нарастания

 5.8 ns, 6.7 ns 

Типичное время задержки выключения

 14 ns, 13.6 ns

Типичное время задержки при включении

 4.8 ns, 5.8 ns