Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину Серии источников питания HDR на DIN рейку с ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения 100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт HDR-15   HDR-30   HDR-60   HDR-100   HDR-150

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор биполярный MMUN2111LT1G Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: h21: от 35: R1: 10 кОм: R2: 10 кОм На складе ... Производитель: ONS Тип корпуса: SOT23 код товара: 00-00032532 Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 337 шт от 1493 шт 2,00 1,48 1,34 Раздел: Транзистор биполярный   Компания ON Semiconductor Corporation относится к тем производителям электронных компонентов, продукция которых может быть использована в широком круге «общих применений». В производстве ON Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные компоненты составляют приблизительно равные доли.   Категория продукта  Цифровые транзисторы Конфигурация  Одиночный Полярность транзистора  PNP Сопротивление управляющего входа  10 кОм Коэффициент управляющего сопротивления  1 Монтаж  SMD/SMT Корпус  SOT-23-3 Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.  35 Напряжение коллектор-эмиттер VCEO макс.  50 В Постоянный ток коллектора  100 мА Пиковый постоянный ток коллектора  100 мА Рассеиваемая мощность Pd  246 мВт Минимальная рабочая температура  -55 °C Максимальная рабочая температура  +150 °C Коэффициент усиления постоянного тока hFE макс.  35 Высота  0,94 мм Длина  2,9 мм Ширина  1,3 мм       Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. На практике используются транзисторы обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p транзисторе дырки. Транзистор IGBT IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Транзисторы производства STMicroelectronics. Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Транзисторы производства International Rectifier. Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Транзистор полевой СВЧ Сверхвысокочастотные полевые транзисторы Полный перечень транзисторов на складе

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП