|
Тестер транзисторов,
диодов, тиристоров, измеритель RLC, измеритель ESR. Последняя версия
программного обеспечение тестера LCR-T4 на чипе ATmega328р позволяет
автоматически идентифицировать радиоэлектронные компоненты (резистор,
конденсатор, катушка индуктивности, диод, двойной диод, биполярный NPN,
PNP транзистор, N- канальный и Р- канальный MOS FET, JFET транзистор,
маломощный тиристор, симистор.
Измерять сопротивления, емкости, индуктивности, прямого напряжения
перехода в диодах и биполярных транзисторах, емкости и порогового
напряжения затвора в полевых транзисторах, обнаруживать защитные диоды в
транзисторах.
Информация выводится на ЖК-дисплей 128х64 с подсветкой.
Питание 9V от батареи типа "Крона" (не входит в комплект поставки).
Внимание! Разряжайте конденсаторы до тестирования!
Характеристики:
Измеритель индуктивности
1) Тест полупроводников, конденсаторов, резисторов, индуктивностей
производится за одну операцию – нажатием кнопки. Автоматическое
выключение после теста.
2) Потребляемый ток после отключения не более 20nA .
3) Диапазон измерения резисторов составляет от 0,1 Ом до 50M Ом с
точностью 1%.
4) Диапазон измерения емкости составляет от 25рF до 100mF и точностью
1%.
5) Диапазон измерения индуктивности составляет от 0,01mН до 20H и
точностью 1%.
6) Автоматическое определение NPN, PNP биполярных транзисторов , N
-канальных и Р- канальных MOS FET, JFET транзисторов , диодов, двойных
диодов, тиристоров небольшой мощности, однонаправленных и
двунаправленных тиристоров.
7) Автоматическое определение цоколевки полупроводников.
8) Измерение в биполярных транзисторах коэффициента усиления и
порогового напряжения база – эмиттер.
9) Обнаружение защитных диодов в биполярных и MOS FET транзисторах.
10) Идентификация транзисторов Дарлингтона.
11) Измерение порогового напряжения и емкости затвора в MOS FET
транзисторах.
12) Измерение ESR конденсатора с разрешением 0,01 Ом.
13) Измерение двойных резисторов (потенциометров) с отображение на
дисплее символов резистора.
14) Отображение символов двойных диодов с измерением прямого напряжение
каждого перехода.
15) Определение комбинированных светодиодов.
16) Определение напряжения пробоя в стабилитронах с напряжением не более
4.5V |
