КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Низкопрофильные источники питания серий LRS мощностью
35, 50, 75, 100, 150, 200 и 350 Вт
LRS-35 LRS-50 LRS-75 LRS-100 LRS-150 LRS-200 LRS-350

     

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор биполярный
KSE350STU
MJE350

На складе ...
Производитель: ONS-FAIR
Тип корпуса: TO-126
код товара: 00-00032493

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 57 шт
от 243 шт

10,50
8,84
8,23

Раздел:
Транзистор биполярный


 

Компания ON Semiconductor Corporation относится к тем производителям электронных компонентов, продукция которых может быть использована в широком круге «общих применений».
В производстве ON Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные компоненты составляют приблизительно равные доли.


Категория продукта

 Биполярные транзисторы - BJT

Производитель

 ON Semiconductor

Вид монтажа

 Through Hole

Корпус

 TO-126-3

Полярность транзистора

 PNP

Конфигурация

 Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

 - 300 V

Напряжение коллектор-база (VCBO)

 - 300 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

 - 5 V

Максимальный постоянный ток коллектора

 0.5 A

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Серия

 KSE350

Непрерывный коллекторный ток

 - 0.5 A

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

 30

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

 240

Высота

 11 mm

Длина

 8 mm

Минимальная рабочая температура

 - 65 C

Pd - рассеивание мощности

 20 W

Ширина

 3.25 mm

Другие названия товара №

 KSE350STU_NL

 
 



Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзистор биполярный


Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. На практике используются транзисторы обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p транзисторе дырки.

Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП