КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Ёмкость, мкф

Напряжение, В

Диаметр, мм

 

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор биполярный
KSC2316


На складе ...
Производитель: SAMSUNG
Тип корпуса: TO-92mod
код товара: 00-00030589

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 19 шт
от 82 шт

30,00
26,14
24,33

Раздел:
Транзистор биполярный


 

Samsung Electro-Mechanics — международная южнокорейская компания по производству электронных компонентов со штаб-квартирой в Сувоне, Кёнгидо. Дочерняя компания Samsung Group. Компания производит такие компоненты, как MLCC, модули камер, сетевые модули и полупроводниковые подложки.


Наименование производителя

 KSC2316

Тип материала

 Si

Полярность

 NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc)

 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb)

 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce)

 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb)

 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic)

 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj)

 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft)

 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc)

 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe)

 80

Корпус транзистора

 TO92

 
 

Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзистор биполярный


Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. На практике используются транзисторы обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p транзисторе дырки.

Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП