Технология

 Si

Вид монтажа

 Through Hole

Полярность транзистора

 N-Channel

Количество каналов

 1 Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток

 300 V

Id - непрерывный ток утечки

 52 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 66 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

 - 20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

 2.5 V

Qg - заряд затвора

 110 nC

Минимальная рабочая температура

 - 55 C

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Pd - рассеивание мощности

 400 W

Канальный режим

 Enhancement

Конфигурация

 Single

Время спада

 20 ns

Высота

 20.3 mm

Длина

 15.8 mm

Время нарастания

 22 ns

Типичное время задержки выключения

 60 ns

Типичное время задержки при включении

 24 ns

Ширина

 4.9 mm