Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
IRS2104SPBF
Основные характеристики
Корпус
SOIC-8
Кол-во нижних каналов
1
Кол-во верхних каналов
1
Максимальное напряжение смещения
600В
Максимальный выходной ток нарастания
290мА
Максимальный выходной ток спада
600мА
Опции
Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Примечание
Полумост - один вход
Рабочая температура
-40...125°C
Specifications of IRS2104SPBF
Configuration
Half Bridge
Input Type
Inverting and Non-Inverting
Delay Time
680ns
Current - Peak
290mA
Number Of Configurations
1
Number Of Outputs
2
High Side Voltage - Max (bootstrap)
600V
Voltage - Supply
10 V ~ 20 V
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (3.9mm Width)
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями.
Высокое качество, доступная цена, продукция на складе:
Драйверы
MOSFET-IGBT производства IR
Фирма International Rectifier выпускает широкую гамму микросхем
драйверов для управления затворами IGBT и полевых транзисторов. Все
драйверы выпускаются в DIP и SMD исполнении с возможностью
управления затворами приборов, работающих под напряжением до 1200 В
при макс. выходном напряжении на затворе до 20 В. Выпускаемые
драйверы предназначены для управления затворами верхних, нижних,
полумостовых, верхних и нижних, раздельных трехфазных мостовых и
трехфазных схем включения.
.jpg)
