КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
Серии источников питания HDR на DIN рейку с
ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения
100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт
HDR-15
HDR-30
HDR-60
HDR-100
HDR-150
|
 |
|
 |
| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET
IRLB4132PBF
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 78 А, 0.0025 Ом, TO-220AB, Through Hole
На складе ...
Производитель: INFIN
Тип корпуса: TO-220AB
код товара: 00-00064923
 СКАЧАТЬ PDF
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
 |
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
|
Производитель |
Infineon
|
|
Категория продукта |
МОП-транзистор
|
|
Технология |
Si |
|
Вид монтажа |
Through Hole
|
|
Тип корпуса |
TO-220-3
|
|
Полярность
транзистора |
N-Channel
|
|
Количество каналов |
1 Channel
|
|
Vds - напряжение
пробоя сток-исток |
30 V |
|
Id - непрерывный ток
утечки |
150 A
|
|
Rds Вкл -
сопротивление сток-исток |
2.5 mOhms
|
|
Vgs - напряжение
затвор-исток |
- 20 V, + 20 V
|
|
Vgs th - пороговое
напряжение затвор-исток |
1.35 V
|
|
Qg - заряд затвора |
54 nC
|
|
Рабочая температура |
- 55 C ... + 175
C |
|
Pd - рассеивание
мощности |
140 W
|
|
Канальный режим |
Enhancement
|
|
Конфигурация |
Single
|
|
Тип транзистора |
1 N-Channel
|
|
Крутизна
характеристики прямой передачи - Мин. |
190 S
|
|
Время спада |
36 ns
|
|
Время нарастания |
92 ns
|
| | |
|
 |
Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор
с изолированным затвором.
MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor (Металл-Оксид-Полупроводник
Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим
полем). Это полевой транзистор, затвор
которого электрически изолирован от проводящего канала
полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора
очень высокое входное сопротивление. |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП
.jpg)
.jpg)
