КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
конденсаторы - выборка по номиналу ёмкости
перейти в раздел "Конденсаторы"
0,033mkf -
0,047mkf -
0,068mkf -
0,01mkf -
0,1mkf -
0,22mkf -
0,33mkf -
0,47mkf -
0,68mkf -
1mkf -
2,2mkf -
3,3mkf -
4,7mkf -
10mkf -
22mkf -
33mkf -
47mkf -
68mkf -
82mkf -
100mkf -
120mkf -
150mkf -
220mkf -
330mkf -
470mkf -
560mkf -
680mkf -
820mkf -
1000mkf -
1500mkf -
2200mkf -
3300mkf -
4700mkf -
6800mkf -
10000mkf -
15000mkf -
22000mkf -
33000mkf -
47000mkf -
68000mkf -
100000mkf -
220000mkf -
330000mkf -
470000mkf -
680000mkf -
1000000mkf
Все
0,033
0,047
0,068
0,01
0,1
0,22
0,33
0,47
0,68
1
2,2
3,3
4,7
10
22
33
47
68
82
100
120
150
220
330
470
560
680
820
1000
1500
2200
3300
4700
6800
10000
15000
22000
33000
47000
68000
100000
220000
330000
470000
680000
1000000
Напряжение, В
Все
6,3v
10v
16v
25v
35v
50v
63v
100v
160v
200v
250v
350v
400v
450v
Диаметр, мм
Все
3
4
5
6,3
8
10
11
12
12.5
13
16
18
22
25
30
34
35
40
51
64
76
89
90
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор IGBTIRGP4063DPBF IGBT 600В 48АНа складе ... Производитель: INFIN Тип корпуса: TO-247 код товара: 00-00032778 Кол-во
Цена без НДС, грн
Купить
Раздел:Транзистор IGBT
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
Производитель
Infineon
Продукт
IGBT-транзисторы
Корпус
ТО-247-3
Монтаж
Сквозное
отверстие
Конфигурация
Одиночная
Напряжение
коллектор-эмиттер VCEO Макс.
600 В
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер
1,65 В
Максимальное
напряжение затвор-эмиттер
- 20 В, + 20 В
Непрерывный ток
коллектора при 25 C
96 А
Pd — Рассеиваемая
мощность
330 Вт
Минимальная рабочая
температура
- 55 С.
Максимальная рабочая
температура
+ 175 С
Мы рекомендуем покупать с этим товаром
AOS3P2 - Изоляционный материал Прокладка теплопроводящая: керамическая: Т03Р: L: 20мм: W: 23мм. Толщина 1мм. Теплопроводность 25Вт/мК. Изоляция электрическая 10кВ/мм. Диаметр монтажного отверстия 3,6 мм. Сопротивление изоляции шайбы 100Т?/cm NIPPEL-TO-3 - Изоляционный материал Изоляционная втулка для TO-3, Внешний диаметр: 8 мм.. Внутренний диаметр: 3,1 мм. Высота: 4,5 мм. NIPPEL-TO-3E - Изоляционный материал Изоляционная втулка для TO-3, Внешний диаметр: 12 мм.. Внутренний диаметр: 4,2 мм. Высота: 5 мм. Rubber CAP TO-3 - Изоляционный материал Изоляционный силиконовый кожух для компонетов в корпусе ТО-3 SMICA SOT93 - Изоляционный материал Прокладка силиконовая 20x26мм для SOT93/TO3P SMICA SOT93-2 - Изоляционный материал Прокладка силиконовая с втулкой SOT93 TC-025-CERAMIC-TO-264 - Изоляционный материал Керамическая пластина из (алюмооксидной керамики) Al2O3 для высокотемпературного применения. Применение: ТО-264. Размеры: (0.635)/1mm*22mm*28mm Изолирующая накладка для TO-3P - Изоляционный материал Изолирующая накладка, TOP3, Силикон. Размеры: 28,5х17,5х5,8мм, 0,8Вт/мК Mica Sheet (HOLE) 18x22x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 18x22 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа Mica Sheet (HOLE) 20x25x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 20x25 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа Mica Sheet (HOLE) 22x29x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 22x29 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа
Транзисторы
производства International Rectifier .
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями.
Транзистор IGBT Пластиковые
Транзистор IGBT производства IR
IGBT транзистор - (Insulated Gate Bipolar Transistor)
представляет собой интегральную монолитную структуру, которая
симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.
Преимуществом подобной структуры является простота управления
полевым транзистором (управление напряжением) и низкое падение
напряжения в состоянии проводимости у биполярного транзистора
Поставляемые компоненты
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП