КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
 Транзистор IGBT
IRGBC30MD2-S
IGBT: 600 В, 16 А
На складе ...
Производитель: IR
Тип корпуса: TO-252(DPAK)
код товара: 00-00032771

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 2 шт
от 3 шт

190,00
186,22
184,58
Раздел:
Транзистор IGBT
 

International Rectifier Corporation - Общепризнанный мировой лидер в разработке и производстве силовых полупроводниковых компонентов. Номенклатура изделий International Rectifier стала де-факто стандартом силовой электроники и широко используется независимыми производителями.


IRGBC30MD2-S

Основные характеристики

Напряжение К-Э максимальное600 В
Ток коллектора максимальный16 А
Напряжение насыщения К-Э1.9 В
Время нарастания130 нс
Время спада310 нс
Время восстановления диода42 нс
Прямое падение напряжение диода1.4 В
 
 

Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзисторы производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным мировым лидером по производству электронных компонентов для преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов. Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой электроники и широко используется независимыми производителями.
Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе

Транзистор IGBT производства IR
IGBT  транзистор - (Insulated Gate Bipolar Transistor) представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Преимуществом подобной структуры является простота управления полевым транзистором (управление напряжением) и низкое падение напряжения в состоянии проводимости у биполярного транзистора

IRF1
IRF2
IRF3
IRF4
IRF5
IRF6
IRF7
IRF8
IRF9
IRFB

 IRFD

 IRFH

 IRFI

 IRFL

 IRFP

 IRFR

 IRFS

 IRFU

IRFZ
IRL
IRLB

 IRLD

 IRLH

 IRLI

 IRLL

 IRLML

 IRLMS

 IRLR

 IRLS

 IRLU

 IRLZ


Поставляемые компоненты










^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП