| 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET
IRFP4668PBF
MOSFET транзистор: N-канал, 200 В, 130 А
На складе ...
Производитель: INFIN
Тип корпуса: TO-247AC
код товара: 00-00032164
 СКАЧАТЬ PDF
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
|
|
|
 |
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
Линейка силовых N-канальных MOSFET транзисторов IRFP4xxx на напряжение от 40
до 200 В отличается рекордно низким сопротивлением открытого канала RDS(on). Оно
на 40% ниже, чем у других транзисторов линейки, и на 20-50% превосходит аналоги
конкурентов. Кроме того, потери на проведение минимальны по сравнению с другими
компонентами в корпусах TO-247
|
Производитель |
Infineon (IRF) |
|
Тип транзистора |
N-MOSFET |
|
Полярность |
полевой |
|
Напряжение сток-исток |
200В |
|
Ток стока |
130А |
|
Мощность |
520Вт |
|
Корпус |
TO247AC |
|
Напряжение затвор-исток |
±30В |
|
Сопротивление в
открытом состоянии |
9.7мОм |
|
Заряд затвора |
161нC |
|
Технология |
HEXFET® |
Транзисторы предназначены для синхронного выпрямления, для активных ORing
каскадов (в силовых схемах ИЛИ), а также для промышленных применений, включая
мощный DC привод, DC-AC инверторы и привод электроинструмента.
Преимущества:
- Высокая эффективность синхронного выпрямления в импульсных источниках питания
- Высокая скорость переключения
- Надежная работа в режимах жесткого переключения в широком диапазоне частот
- Высокая устойчивость к лавинному пробою, dv/dt и di/dt
- Высокие динамические характеристики и низкая мощность управления
- Новейшая Trench технология кристалла с ультранизким удельным сопротивлением
канала ячейки
- Низкий темп роста сопротивления канала в зависимости от напряжения сток-исток
- Снижение сопротивления открытого канала до 2,5 раза по сравнению с предыдущим
поколением
- Лучшие показатели сопротивления открытого канала в отрасли без применения
дорогих низкоомных корпусов и специальных схем разварки кристалла
- Высокий выходной ток
- Высокая рассеиваемая мощность
- Сниженное тепловое сопротивление корпуса
- Недорогой стандартный корпус ТО-247АС
- Отсутствие необходимости параллельного включения транзисторов, снижение
стоимости теплоотвода
- Уровень устойчивости к влажности MSL-1
|
.jpg)
.jpg)
