| 
КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
 
       | 
        | 
    
    
      
    |   |   |   |         Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия |       Транзистор полевой MOSFET IRFP4368PBF МОП-транзистор, N Канал, 350 А, 75 В, 0.00146 Ом, 20 В, 4 В
  На складе ... Производитель: INFIN Тип корпуса: TO-247AC-3 код товара: 00-00032155
 
 Кол-во  | Цена без НДС, грн  | Купить |  
  |       Раздел: Транзистор полевой MOSFET
  
 
  |      |   |   | 
	
	
		| 
		 
		
		   | 
		
		 
		
		Infineon Technologies AG - крупнейший представитель 
		полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция 
		Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся 
		лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со 
		встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и 
		другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией, 
		твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
		  | 
	 
 
 
 
	
		| 
		 Полярность 
		транзистора  | 
		
		  N-Channel 
		  | 
	 
	
		| 
		 Количество каналов  | 
		
		  1 Channel 
		  | 
	 
	
		| 
		 Напряжение пробоя 
		сток-исток  | 
		
		  75 V   | 
	 
	
		| 
		 Непрерывный ток 
		утечки  | 
		
		  350 A 
		  | 
	 
	
		| 
		 Сопротивление 
		сток-исток  | 
		
		  1.46 mOhms 
		  | 
	 
	
		| 
		 Напряжение 
		затвор-исток  | 
		
		  - 20 V, + 20 V
		  | 
	 
	
		| 
		 Пороговое напряжение 
		затвор-исток   | 
		
		  1.8 V 
		  | 
	 
	
		| 
		 Заряд затвора  | 
		
		  380 nC 
		  | 
	 
	
		| 
		 Минимальная рабочая 
		температура  | 
		
		  - 55 C 
		  | 
	 
	
		| 
		 Максимальная рабочая 
		температура  | 
		
		  + 175 C 
		  | 
	 
	
		| 
		 Рассеивание мощности  | 
		
		  520 W  | 
	 
 
  |   |   |   Мы рекомендуем покупать с этим товаром  |    | ПОДЛОЖКА ЛИСТ 100x100 BM180 - Изоляционный материал Теплопроводная резина, прокладка с силиконовым покрытием ... 2.0 Вт / м.К: Рабочая температура: -60 ~ 200: Толщина: 0.18 мм. размер 100 на 100 мм. |    | AOS3P2 - Изоляционный материал Прокладка теплопроводящая: керамическая: Т03Р: L: 20мм: W: 23мм. Толщина 1мм. Теплопроводность 25Вт/мК. Изоляция электрическая 10кВ/мм. Диаметр монтажного отверстия 3,6 мм. Сопротивление изоляции шайбы 100Т?/cm |    | NIPPEL-TO-3 - Изоляционный материал Изоляционная втулка для TO-3, Внешний диаметр: 8 мм.. Внутренний диаметр: 3,1 мм. Высота: 4,5 мм. |    | NIPPEL-TO-3E - Изоляционный материал Изоляционная втулка для TO-3, Внешний диаметр: 12 мм.. Внутренний диаметр: 4,2 мм. Высота: 5 мм. |    | Rubber CAP TO-3 - Изоляционный материал Изоляционный силиконовый кожух для компонетов в корпусе ТО-3 |    | SMICA SOT93 - Изоляционный материал Прокладка силиконовая 20x26мм для SOT93/TO3P |    | SMICA SOT93-2 - Изоляционный материал Прокладка силиконовая с втулкой SOT93 |    | TC-025-CERAMIC-TO-264 - Изоляционный материал Керамическая пластина из (алюмооксидной керамики) Al2O3 для высокотемпературного применения. Применение: ТО-264. Размеры: (0.635)/1mm*22mm*28mm |    | Изолирующая накладка для TO-3P - Изоляционный материал Изолирующая накладка, TOP3, Силикон. Размеры: 28,5х17,5х5,8мм, 0,8Вт/мК |    | Mica Sheet (HOLE) 18x22x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 18x22 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа |    | Mica Sheet (HOLE) 20x25x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 20x25 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа |    | Mica Sheet (HOLE) 22x29x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 22x29 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа |   
	
		
			| 
			 
			Транзисторы 
			производства  International Rectifier. 
			Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным 
			мировым лидером по производству электронных компонентов для 
			преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов. 
			Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой 
			электроники и широко используется независимыми производителями.  | 
			
			  | 
		 
		 
 
Транзистор IGBT Пластиковые
	
		
			| 
			 
			Транзистор IR MOSFET N-Канал 
			В течение последнего десятилетия внедрение компанией International 
			Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов 
			привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое 
			сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические 
			характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях, 
			пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое 
			последнее время.   | 
		 
	 
 
 | 
      
 
 
Поставляемые компоненты
 
 
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
 | 
    
  
 ^ Наверх  DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, 
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи 
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, 
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, 
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары 
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, 
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП