Категория продукта

 МОП-транзистор

Производитель

 Infineon

Технология

 Si

Вид монтажа

 SMD/SMT

Корпус

 PQFN-8

Количество каналов

 1 Channel

Полярность транзистора

 N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток

 30 V

Id - непрерывный ток утечки

 35 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 13 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

 1.35 V to 2.35 V

Vgs - напряжение затвор-исток

 20 V

Qg - заряд затвора

 8.3 nC

Минимальная рабочая температура

 - 55 C

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Конфигурация

 Single Quad Drain Triple Source

Канальный режим

 Enhancement

Коммерческое обозначение

 StrongIRFET

Время спада

 4.6 ns

Высота

 0.83 mm

Длина

 6 mm

Чувствительный к влажности

 Yes

Pd - рассеивание мощности

 3.1 W

Время нарастания

 11 ns

Тип транзистора

 1 N-Channel

Тип

 HEXFET Power MOSFET

Типичное время задержки выключения

 12 ns

Типичное время задержки при включении

 11 ns

Ширина

 5 mm

Другие названия товара №

 SP001564146