КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
Серии источников питания HDR на DIN рейку с
ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения
100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт
HDR-15
HDR-30
HDR-60
HDR-100
HDR-150
|
|
|
|
| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET IRFB3207PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 75 В: Iс(25°C): 180 А: Rси(вкл): 4.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В
На складе ... Производитель: INFIN Тип корпуса: TO-220AB код товара: 00-00031967
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
Производитель |
INFIN |
Фет-тип |
N-канал |
Продукт |
МОСФЕТ
|
Напряжение источника
дренажа (VDS) |
75 В. |
Электричество -
непрерывное, слив (id) при 25 ° C |
170 A (TC) |
Рабочее напряжение
(макс. Rds (on), min. Rds (on)) |
10 В |
RDS (ON) (макс.) У
ID, VGS |
4,5 мох в 75A, 10
В |
Vgs (th) (макс.) При
id |
4 В при 250 мкА |
Gatel Charge (QG)
(макс.) На VGS |
260 NC @ 10 V |
VGS (макс.) |
± 20 В. |
Входная емкость (CISS)
(макс.) При VDS |
7600 pf @ 50 v |
Потеря (макс.) |
330W (TC) |
Эксплуатационный
температура |
-55 ° C до 175 °
C (TJ) |
Корпус |
TO-220AB |
| | |
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
|
Транзистор IGBT Пластиковые
Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП