|
КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
 |
| | | | 
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET
IRF7946TR1PBF
DIRECTFE/TMOSFET, 40V, 198A, 1.5 MOHM, 141 NC QG, DIRECTFET MED CAN
На складе ...
Производитель: IR
Тип корпуса: DirectFET
код товара: 00-00031902
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
 |
International Rectifier Corporation -
Общепризнанный мировой лидер в разработке и производстве силовых
полупроводниковых компонентов. Номенклатура изделий International
Rectifier стала де-факто стандартом силовой электроники и широко
используется независимыми производителями. |
|
Категория продукта |
МОП-транзистор
|
|
Производитель |
Infineon
|
|
Технология |
Si |
|
Вид монтажа |
SMD/SMT
|
|
Корпус |
DirectFET-MX
|
|
Полярность
транзистора |
N-Channel
|
|
Vds - напряжение
пробоя сток-исток |
40 V |
|
Id - непрерывный ток
утечки |
198 A
|
|
Rds Вкл -
сопротивление сток-исток |
1.4 mOhms
|
|
Vgs th - пороговое
напряжение затвор-исток |
3.9 V
|
|
Qg - заряд затвора |
212 nC
|
|
Минимальная рабочая
температура |
- 55 C
|
|
Максимальная рабочая
температура |
+ 150 C
|
|
Канальный режим |
Enhancement
|
|
Коммерческое
обозначение |
StrongIRFET
|
|
Время спада |
41 ns
|
|
Крутизна
характеристики прямой передачи - Мин. |
91 S |
|
Высота |
0.7 mm
|
|
Длина |
6.35 mm
|
|
Чувствительный к
влажности |
Yes |
|
Pd - рассеивание
мощности |
96 W |
|
Время нарастания |
49 ns
|
|
Типичное время
задержки выключения |
54 ns
|
|
Типичное время
задержки при включении |
20 ns
|
|
Ширина |
5.05 mm |
| | |
|
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
 |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП
.jpg)
.jpg)
