КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
Серии источников питания HDR на DIN рейку с
ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения
100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт
HDR-15
HDR-30
HDR-60
HDR-100
HDR-150
|
|
|
|
| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET IRF3415PBF MOSFET транзистор: N-канал, 150 В, 43 А, 42 мОм
На складе ... Производитель: INFIN Тип корпуса: TO-220AB код товара: 00-00031714
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
Производитель |
INFIN |
Тип полевого
транзистора |
N-канал |
Продукт |
МОП-транзистор
|
Напряжение
сток-исток (Vdss) |
150
В |
Ток — непрерывный,
слив (Id) при 25°C |
43А
(Тс) |
Рабочее напряжение (макс.
Rds(Вкл.), мин. Rds(Вкл)) |
10
В |
Rds(On) (Макс.) при
Id, Vgs |
42мОм
при 22А, 10В |
Vgs(th) (макс.) при
Id |
4
В при 250 мкА |
Плата за ворота (Qg)
(Макс.) при Vgs |
200
нК при 10 В |
ВГС (Макс.) |
±20
В |
Входная емкость (Цисс.)
(макс.) при Vds |
2400пФ
при 25В |
Потеря мощности (макс.) |
200
Вт (ТС) |
Рабочая
температура |
От
-55°C до 175°C (ТДж) |
Корпус |
TO-220AB |
| | |
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
|
Транзистор IGBT Пластиковые
Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП