Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
Производитель:
Infineon
Категория продукта:
Драйверы для управления
затвором
Продукт:
IGBT, MOSFET Gate
Drivers
Тип:
Low-Side
Вид монтажа:
SMD/SMT
Упаковка / блок:
SOIC-8
Количество драйверов:
2 Driver
Количество выходов:
2 Output
Выходной ток:
1.5 A
Напряжение питания -
мин.:
6 V
Напряжение питания -
макс.:
20 V
Конфигурация:
Non-Inverting
Время нарастания:
15 ns
Время спада:
10 ns
Минимальная рабочая
температура:
- 40 C
Максимальная рабочая
температура:
+ 125 C
Серия:
IR(S)442X
Тип логики:
CMOS, LSTTL
Максимальное время
задержки выключения:
150 ns
Максимальное время
задержки включения:
160 ns
Рабочий ток
источника питания:
100 uA
Pd - рассеивание
мощности:
625 mW
Тип продукта:
Gate Drivers
Задержка
распространения - макс.:
160 ns
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями.
Высокое качество, доступная цена, продукция на складе:
Драйверы
MOSFET-IGBT производства IR
Фирма International Rectifier выпускает широкую гамму микросхем
драйверов для управления затворами IGBT и полевых транзисторов. Все
драйверы выпускаются в DIP и SMD исполнении с возможностью
управления затворами приборов, работающих под напряжением до 1200 В
при макс. выходном напряжении на затворе до 20 В. Выпускаемые
драйверы предназначены для управления затворами верхних, нижних,
полумостовых, верхних и нижних, раздельных трехфазных мостовых и
трехфазных схем включения.
.jpg)
