Драйверы IGBT/MOSFET IR2125STRPBF Драйвер FET-IGBT - [SOIC-16-3.9]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1000 мА: Iout-: 2000 мА: Опции: Вход сброса, Защита по току, Флаг защиты: Траб: -40...125 °C На складе ... Производитель: IR Тип корпуса: SO16 код товара: 00-00025882
International Rectifier Corporation -
Общепризнанный мировой лидер в разработке и производстве силовых
полупроводниковых компонентов. Номенклатура изделий International
Rectifier стала де-факто стандартом силовой электроники и широко
используется независимыми производителями.
Производитель
Infineon
Тип
High-Side,
Low-Side
Вид монтажа
SMD/SMT
Тип корпуса
SOIC-16
Количество драйверов
1 Driver
Количество выходов
1 Output
Выходной ток
1 A
Напряжение питания
0 V … 18 V
Время нарастания
43 ns
Время спада
26 ns
Рабочая температура
- 40 C … + 125 C
Особенности
Synchronous
Тип логики
CMOS, TTL
Максимальное время
задержки выключения
200 ns
Максимальное время
задержки включения
170 ns
Чувствительный к
влажности
Yes
Рабочий ток
источника питания
1.2 mA
Рабочее напряжение
питания
12 V to 18 V
Выходное напряжение
12 V to 18 V
Pd - рассеивание
мощности
1.25 W
Задержка
распространения - макс.
270 ns
Отключение
Yes
Технология
Si
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями.
Высокое качество, доступная цена, продукция на складе:
Драйверы
MOSFET-IGBT производства IR
Фирма International Rectifier выпускает широкую гамму микросхем
драйверов для управления затворами IGBT и полевых транзисторов. Все
драйверы выпускаются в DIP и SMD исполнении с возможностью
управления затворами приборов, работающих под напряжением до 1200 В
при макс. выходном напряжении на затворе до 20 В. Выпускаемые
драйверы предназначены для управления затворами верхних, нижних,
полумостовых, верхних и нижних, раздельных трехфазных мостовых и
трехфазных схем включения.