Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину   пассивные SMD-компоненты конденсаторы SMD-конденсаторы: 0402, 0603, 0805, 1206 SMD-резисторы: 0201, 0402, 0603, 0805, 1206, 2010, 2512 прецизионные низкоомные резисторные сборки SMD-индуктивности: 0603, 0805, 1206 высоковольтная керамика / керамика класс Y1 и Y2 / металлопленка CL-21X / металлопленка CL-21 MEF / полипропиленовые CBB21 CBB22 / полипропиленовые X2-MKP / высоковольтные CBB81 / для двигателей CBB61 / фазосдвигающие CBB60E / пусковые CBB65 / Полистирольные конденсаторы СL11 / Аксиальные металлопленочные конденсаторы CL-20T / Электролитические конденсаторы / Неполярные / Полимерные (твердотельные) / Тонкие для ЖК / Низкоимпедансные / Конденсаторы SMD, Серия RC

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор полевой MOSFET IPB123N10N3 G Транзистор 100V, 58A, 12.3 oM На складе ... Производитель: INFIN Тип корпуса: D2PAK код товара: 00-00070661 Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 7 шт от 28 шт 86,50 75,84 70,61 Раздел: Транзистор полевой MOSFET   Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией, твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.   Продукт МОП-транзистор Технология Si Монтаж SMD/SMT Корпус D2PAK Полярность транзистора N-канальный Количество каналов 1 канал Vds — напряжение пробоя сток-исток 100 В Id — непрерывный ток стока 58 А Rds включен – сопротивление сток-исток 10,7 мОм Vgs - Напряжение затвор-исток - 20 В, + 20 В Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток 2 В Qg - Заряд ворот 35 нКл Рабочая температура - 55...175 С Pd — Рассеиваемая мощность 94 Вт Режим канала Улучшение Конфигурация Одиночная Время спада 5 нс Прямая крутизна - мин 29 с Время нарастания 8 нс Тип Силовой транзистор OptiMOS 3 Типичное время задержки выключения 24 нс Типичное время задержки включения 14 нс     Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП