Категория продукта:

МОП-транзистор

Тип продукта:

MOSFET

Технология:

Si

Вид монтажа:

Through Hole

Тип корпуса:

TO-220-3

Полярность транзистора:

N-Channel

Количество каналов:

1 Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток:

600 V

Id - непрерывный ток утечки:

9 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток:

300 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток:

- 20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток:

3 V

Qg - заряд затвора;

13 nC

Минимальная рабочая температура:

- 40 C

Максимальная рабочая температура:

+ 150 C

Pd - рассеивание мощности:

22 W

Канальный режим:

Enhancement

Конфигурация:

Single

Время спада:

10 ns

Время нарастания:

7 ns

Тип транзистора:

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения:

42 ns

Типичное время задержки при включении:

8 ns